Cтраница 1
Исчезновение заряда Q происходит как за счет рекомбинации носителей заряда в / - и области, так и за счет протекания переходного обратного тока. Рассмотрим два крайних случая. [1]
Процесс исчезновения зарядов носит название деио-низации междуэлектродного промежутка. Время, требующееся для исчезновения зарядов до предельно малого значения, называют временем деионизации. Это время является важным параметром в связи с тем, что при питании приборов переменным, а также импульсным напряжением важно возможно быстрее освободить прибор от остаточных зарядов. Чем быстрее исчезают остаточные заряды ( чем меньше время деионизации), тем выше достижимая периодичность пропускаемых прибором импульсов тока. [2]
Итак, исчезновение зарядов вызывается, видимо, только адсорбированной пленкой влаги на поверхности диэлектрических частиц. [3]
При повышении интенсивности исчезновения зарядов в базе сокращается время пребывания триода в состоянии насыщенна, а также ускоряется убывание коллекторного тока 1 К1 на этапе спада импульса. [4]
Для полярных реакций возникновение и исчезновение зарядов вносит заметные дополнительные изменения в энтропию при перемещении вдоль координаты реакции. В случае, когда исходная система малопо-лярна, окружающие молекулы растворителя практически не ограничены в своем движении. При возникновении в ходе реакции зарядов переходное состояние обладает большим дипольным моментом, чем исходная система. Возникающий диполь своим электрическим полем вызывает упорядочение среди окружающих его молекул растворителя, что приводит к ограничению поступательного движения. [5]
Это объясняется тем, что в р-л-р-л - структурах исчезновение заряда в широкой базе - типа обусловлено главным образом процессами рекомбинации и при у2 ж 1 время выключения практически не зависит от обратного тока. Но у тиристоров с двумя узкими базами время выключения снижается при увеличении обратного тока, так как по мере уменьшения толщины широкой базы л-типа доля заряда, убывающего из базы за счет наличия обратного тока, возрастает. В этом случае происходит уменьшение времени выключения и при увеличении скорости убывания анодного тока перед выключением. [6]
Более важно то, что сама электризация обусловлена скоростью исчезновения заряда. Шашуа [16] показал, что для данной функциональной группы заряд исчезает наиболее быстро, если эта группа играет роль заместителя в боковой цепи, а не в цепи главных валентностей макромолекулы. Способность полимера избирать заряд, вероятно, связана со способностью присоединения ионов к его поверхности. [7]
Повидимому, вполне законно было бы допустить, что возникновение или исчезновение зарядов в критическом комплексе будет оказывать обычно более мощное влияние, чем распределение данного заряда в критическом комплексе. [8]
![]() |
Форма импульсов при настройке пробника. [9] |
Ток выключения, вытекающий из базы, представляет собой кратковременный ток, прекращающийся при исчезновении заряда в области базы. [10]
Этого следовало ожидать, так как инициирование включает разделение зарядов, а обрыв цепи включает исчезновение зарядов. К тому же времени относятся исследования Илея и Ричардса [117] по полимеризации винил-2 - этилгексило-вого эфира в присутствии катализатора хлорида олова ( 1У), подтверждающее выведенные выше кинетические закономерности. [11]
![]() |
Спектры Д ( КРП СВ слоя аурамина О при различных давлениях кислорода. [12] |
Уменьшение, а затем и полное исчезновение длинноволнового максимума с увеличением давления кислорода говорит об исчезновении положительного приповерхностного заряда до нуля или даже об образовании отрицательного приповерхностного заряда, что, возможно, связано с адсорбцией на поверхности полупроводника отрицательных ионов кислорода. [13]
Если же переключение диода осуществляется путем выключения прямого тока ( обратный ток равен нулю), исчезновение заряда происходит только вследствие рекомбинации. [14]
Постоянная времени диода с толстой базой при низкой частоте гСд11ф т / 2 (3.40) тоже характеризует время исчезновения заряда. Действительна, т - время жизни неосновных носителей как раз и показывает, в течение какого времени концентрация неосновных носителей изменится в е раз из-за рекомбинации. [15]