Селенистый кадмий

Cтраница 4

Для изготовления технически пригодного выпрямителя с коэффициентом выпрямления порядка нескольких сотен или тысяч ( рис. 103) приходится провести формовку, подавая некоторое время при повышенной температуре значительный потенциал в запорном направлении. После такой формовки рентгеновский анализ обнаруживает на границе с дырочным селеном слой электронного селенистого кадмия. Можно предполагать, что хорошие выпрямительные свойства селеновых выпрямителей определяются границей между образовавшимся электронным слоем CdSe и массой дырочного селена. [46]

График зависимости сопротивления селенового диода от приложенного напряжения. [47]

При этом вследствие проникновения ( диффузии) атомов кадмия в селен на поверхности последнего создается слой селенистого кадмия, имеющего электронную n - проводимость. Между селеном и селенистым кадмием образуется р - ге-переход. [48]

Через медно-закисный выпрямитель проходит сильный ток при включении по схеме а и очень слабый при включении по схеме б. 1 - закись меди, обогащенная кислородом, 2 - напыленная медь, 3. [49]

После длительного прогрева и пропускания тока такая система тоже приобретает свойство односторонней проводимости. В селеновых выпрямителях запирающий слой образуется также на границе между селеном ( дырочным полупроводником) и селенистым кадмием, который возникает в процессе обработки пластин и имеет электронный механизм проводимости. [50]

Поганским, Гоф-фманом и Розе, нашедшими, что выпрямление происходит на границе основного дырочного селена и электронного селенистого кадмия, образующегося в процессе изготовления выпрямления вблизи электрода, содержащего кадмий. [51]

В последнее время были разработаны фотосопротивления высокой чувствительности из особым образом активированного сульфида кадмия, а также из селенистого кадмия. Сульфидный фотоэлемент может быть сделан в виде тонкой пленки порошка сульфида кадмия, поэтому возможно изготовление элементов сколь угодно большой площади. Частицы порошка почти совершенно непрозрачны для видимого света, поэтому проще построить фотоэлемент, в котором фотопроводимость имеет место между электродами на освещаемой поверхности, а не через поверхностный слой между электродом и нанесенной на него пленкой. Электродами в этом случае могут служить также неизолированные провода, намотанные на полосу из изолирующего материала, как было уже описано выше. Однако чаще электроды изготовляются в виде металлической пленки, нанесенной на слой порошка сульфида кадмия методом вакуумного испарения через соответствующий трафарет. Последний метод позволяет наиболее эффективно использовать площадь поверхности элемента. [52]

Несмотря на указанные недостатки, фоторезисторы находят практическое применение, особенно в автоматике и вычислительной технике. Помимо рассмотренных типов используют многоячеечные фоторезисторы типа фотолинейка, содержащие до 50 ячеек на 1 см длины с проводящим слоем поликристаллического селенистого кадмия. [53]

Под влиянием гамма-излучения при температурах порядка 100 К электропроводность кристаллов селенистого кадмия возрастает в 108 раз [444], что связано со способностью его резко снижать электропроводность при охлаждении. Гамма-излучение при снижении температуры поглощается в одинаковой мере и даже немного сильнее, чем обычно любым твердым телом, в том числе и селенистым кадмием. Постоянная величина поглоще-ной телом энергии гамма-излучения проявляется в неизменном количестве свободных электронов независимо от температуры кристалла. Это обстоятельство и приводит к большему соотношению электропроводности кристалла, находящегося под гамма-облучением, и электропроводности, если последнего нет. Поэтому такие вещества, как селенид ( а также теллурид) кадмия, а также другие соединения второй и шестой группы периодической системы могут быть прекрасными детекторами гамма-рентгеновского, ультрафиолетового, видимого и инфракрасного излучений. [54]

Страницы: 1 2 3 4