Канал - проводимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Девиз Канадского Билли Джонса: позволять недотепам оставаться при своих деньгах - аморально. Законы Мерфи (еще...)

Канал - проводимость

Cтраница 1


Канал проводимости в этих коммутаторах двунаправленный. Для микросхемы К176КТ1 сопротивление канала составляет примерно 500 Ом ( при уровне открывающего напряжения 9 В на входе EI), Причем степень индентичносги сопротивлений каналов может достигать 10 Ом. Степень изоляции управляющей цепи EI от канала соответствует сопротивлению 1012 Ом.  [1]

Чтобы канал проводимости исчез и цепь выходного тока 1С разомкнулась, следует движок Si перевести в положение высокого входного уровня В. Тогда на конденсаторе затвор - подложка напряжения нет ( U3a 0) и положительные носители в канале не индуцируются.  [2]

3 Схема образования канала поверхностной проводимости. [3]

Возникновение канала проводимости должно вызывать, очевидно, увеличение обратного тока.  [4]

5 Распределение зарядов в р-гс-пе.| Схема движения носителей заряда через р - n - переход при наличии канала. [5]

Образование канала проводимости приводит к увеличению площади р - - перехода, так как носители могут переходить в другую область не только через поперечное сечение перехода, но и через инверсионный слой. На участке а ( рис. 8.38) все напряжение, приложенное к диоду, падает на р - n - переходе. На участке-же б часть приложенного напряжения падает на инверсионно.  [6]

Процесс образования канала проводимости в жидкой среде в настоящее время изучен крайне слабо. Главной причиной этого является трудность получения чистой жидкости, так как она, как правило, обычно загрязнена примесями, газообразными, жидкими и твердыми, растворенными и взвешенными в ней. Степень загрязненности не остается постоянной и непрерывно флюктирует, что приводит к изменению однородности среды. Неоднородность приводит к возникновению вторичных процессов в жидкости: образованию нагрева, созданию проводящих жгутов и мостиков и подобных явлений, снижающих достоверность результатов исследований.  [7]

8 Диаграмма движения зарядов от электрода управления к полной поверхности эмиттерного перехода при включении тиристора ( а, кривые допустимой скорости нарастания анодного тока ( б. [8]

С течением времени канал проводимости для анодного тока расширяется до полной площади переходов. Такое расширение, характеризуемое нанесенными на рисунке окружностями, происходит с конечной скоростью, примерно равной 0 1 до 0 2 мм / мксек. Поэтому, если анодный ток нарастает быстрее расширяющегося канала проводимости, то плотность тока в процессе нарастания анодного тока превышает нормально допустимую. Это приводит к локальному перегреву суженных каналов прохождения тока.  [9]

10 Схема электрохимической обработки. [10]

ЭЙ, образуют канал проводимости. При изготовлении штампов для объемной штамповки и пресс-форм указанная конусность не имеет большого значения. Однако при обработке матриц штампов для пробивки и вырубки указанный недостаток приводит к снижению их качества. Уменьшение конусности прошиваемого отверстия может быть достигнуто за счет применения многоступенчатого ЭЙ ( рис. 36, а), уменьшения рабочего пояска матрицы ( рис. 36, б), смещения ЭЙ в горизонтальной плоскости в сторону рабочих поверхностей окна матрицы механизмами координатных перемещений станка или осциллирующего движения орбитальной головки ( рис. 36, е) или такого взаимного расположения ЭЙ и прошиваемой матрицы, при котором прокачка жидкости осуществляется в направлении перемещения ЭЙ.  [11]

12 Схема кольцевого распределителя на двухоперационных тиристорах. [12]

Переход тока от одного канала проводимости к следующему достигается благодаря тому, что анодный вывод каждого тиристора связан через цепочку 7.2 С2 с цепью управления ( включения) следующего тиристора и через цепочку RjClt а также диод Дг с цепью управления ( выключения) предыдущего тиристора.  [13]

Что служит причиной образования каналов проводимости на поверхности полупроводника.  [14]

В зависимости от устройства канала проводимости различают МОП-транзисторы со встроенным и индуцированным ( наведенным) каналом Это в равной мере относится к приборам р - и / i-типа У транзисторов со встроенным каналом канал является элементом конструкции, а у приборов с индуцированным каналом канал, как таковой, отсутствует: он наводится внешним напряжением.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5