Магнитный канал
Cтраница 2
Очевидно, есть физическое объяснение существованию таких неустойчивостей. Они связаны с тем, что на поток частиц пучка, двигающихся по искривленной траектории, действует центробежная сила. Но поток релятивистских электронов может двигаться только по магнитному каналу, и чтобы сместить пучок электронов, нужно сместить магнитный канал. Новый магнитный канал пучок может создать лишь за время, большее времени, прошедшего с начала инжекции. Поэтому такая неустойчивость для быстрых процессов не опасна. [16]
Очевидно, есть физическое объяснение существованию таких неустойчивостей. Они связаны с тем, что на поток частиц пучка, двигающихся по искривленной траектории, действует центробежная сила. Но поток релятивистских электронов может двигаться только по магнитному каналу, и чтобы сместить пучок электронов, нужно сместить магнитный канал. Новый магнитный канал пучок может создать лишь за время, большее времени, прошедшего с начала инжекции. Поэтому такая неустойчивость для быстрых процессов не опасна. [17]
 |
Домены в ортоферрите. [18] |
Влияние материала подложки на магнитные свойства пленки может быть использовано для создания пленки со специальными свойствами. Например, если пленку рассмотренного выше состава осадить на алюминиевую подложку, то ее Я резко возрастет. Поэтому если на диэлектрическую подложку нанести тонкий слой алюминия, н котором вытравить тонкие каналы, а затем осадить сплошной слой магнитной пленки, то в ней образуются магнитные каналы с более низкой коэрцитивной силой, чем в окружающей эти каналы пленке. [19]
Зависимость Нь и Нс от материала подложки практически используется при построении магнитно-магнитных элементов на ТМП. Коэрцитивная сила Нс пленки на металлической подложке значительно больше, чем на диэлектрической. Поэтому, если, например, на стеклянную подложку нанести тонкий слой алюминия, проделать в нем каналы, а затем напылить сплошную 81 % - ную пермаллоевую ТМП или железокобальтникелевую пленку состава 80 % Ni, 17 % Fe и 3 % Со, то в ней образуются магнитные каналы с более низкой коэрцитивной силой Нс, так как подложкой каналов служит стекло, а окружающей каналы части пленки - алюминий. Напряженность внешнего поля Я может быть выбрана такой, чтобы она была достаточной для смещения границ доменов в каналах. Направленное перемещение границ доменов в каналах и используется для построения различных интегральных магнитных устройств. [20]
Очевидно, есть физическое объяснение существованию таких неустойчивостей. Они связаны с тем, что на поток частиц пучка, двигающихся по искривленной траектории, действует центробежная сила. Но поток релятивистских электронов может двигаться только по магнитному каналу, и чтобы сместить пучок электронов, нужно сместить магнитный канал. Новый магнитный канал пучок может создать лишь за время, большее времени, прошедшего с начала инжекции. Поэтому такая неустойчивость для быстрых процессов не опасна. [21]
При инжекции мощных пучков, когда Т Т0 [ см. (5.24), (5.25) ], от пучка пойдет расходящаяся цилиндрическая сильная ударная волна. Ударная волна будет выметать из области пучка плазму и вмороженное в нее магнитное поле, являющееся каналом для пучка. Течение этого процесса зависит от условий эксперимента: от наличия стенок, препятствующих разлету частиц плазмы в радиальном направлении, от скорости ухода тепла из плазмы на торцевые стенки камеры и пр. Не будем рассматривать разлет частиц плазмы и разрушение магнитного канала в деталях, а постараемся лишь охарактеризовать типы равновесий, к которым может привести разлет. [22]
Страницы: 1 2