Низкокоэрцитивный канал
Cтраница 1
Низкокоэрцитивные каналы располагают в ТМП как вдоль ОЛН, так и под углом к ней. Если, кроме составляющей поля Ян по ОЛН, создать и поле Нг по ОТН, то суммарная напряженность Я будет направлена под углом к ОЛН. Под воздействием таких полей вершины доменов продвигаются также под углом к ОЛН, который, однако, меньше угла наклона вектора поля. [1]
Таким образом, в низкокоэрцитивном канале расположены два обратно намагниченных домена с остроугольной границей. [2]
 |
ЗУ на феррнтовых магнитопроводах. [3] |
Один из вариантов технологии создания низкокоэрцитивных каналов в высококоэрцитивном массиве пленки сводится к тому, что на стеклянную подложку напыляется слой алюминия, в котором с помощью фотолитографии протравливаются каналы нужной конфигурации, после чего напыляется магнитный слой плоской пленки, которая над каналами имеет низкую, а в других местах высокую коэрцитивную силу. [4]
Метод, основанный на движении доменных верхушек в низкокоэрцитивных каналах, и взаимодействии их полей рассеивания, отличается простотой выполнения логических операций и позволяет легко осуществить неразрушающее считывание. Информация хранится внутри низкокоэрцитивных каналов, помещенных в пленочный элемент с высокой коэрцитивной силой, и продвигается по этим каналам под действием приложенного поля. [5]
Принцип работы приборов заключается в формировании и продвижении одиночных доменов в узких низкокоэрцитивных каналах, образованных в высококоэрцитивной магнитной пленке. [6]
Затем в направлении ОЛН прикладывается поле, которое вызывает рост записанных доменов вдоль низкокоэрцитивных каналов. При этом, если в АЗЭ была записана 1, продвижение верхушки домена по каналу 3 будет запрещено полем рассеивания верхушки домена канала 2, и домен не пройдет на выход АЗЭ. Если в АЗЭ был записан О ( домен в канале 2 отсутствовал), то при приложении продвигающего поля домен канала 3 беспрепятственно пройдет на выход элемента, в результате чего в выходной шине V появится импульс напряжения, свидетельствующий о несоответствии кода в признаке опроса и кода хранимой информации. [7]
Hk и Нс ТМП от материала подложки и описан один из приемов формирования низкокоэрцитивных каналов в высококоэрцитивной пленке. Переход от низких значений Нс в канале к высоким по обе стороны от него происходит постепенно, но в пределах очень узких границ каналов. Ширина канала ( 50 мкм и менее) ограничена снизу, ибо начиная с определенной ширины наблюдается возрастание коэрцитивной силы. Так, в пленке толщиной 0 15 мкм состава 80 % Ni, 17 % Fe и 3 % Со возрастание коэрцитивной силы в канале начинается при его ширине 0 1 мм. Это ограничивает возможности микроминиатюризации таких систем. [8]
Метод, основанный на движении доменных верхушек в низкокоэрцитивных каналах, и взаимодействии их полей рассеивания, отличается простотой выполнения логических операций и позволяет легко осуществить неразрушающее считывание. Информация хранится внутри низкокоэрцитивных каналов, помещенных в пленочный элемент с высокой коэрцитивной силой, и продвигается по этим каналам под действием приложенного поля. [9]
Продвигающие поля вызывают смещение границ ПМД только внутри выбранных низкокоэрцитивных каналов, созданных в высококоэрцитивных ТМП, если в них заранее образовать зародыши обратной намагниченности, без переключения других каналов и высококоэрцитивного массива пленки. Кроме протравливания каналов в слое алюминия нужной конфигурации фотолитографическим способом, низкокоэрцитивные каналы получают диффузией немагнитного материала в магнитные пленки, химическим травлением поверхности пленок, созданием неровностей на поверхности подложки перед напылением пленки. Продвигающие поля должны быть направлены против первоначальной намагниченности ТМП и совпадать с намагниченностью зародышей. Рост ПМД происходит за счет продвижения их остроугольных вершин. Домены вытянутой ромбовидной формы могут быть уподоблены постоянным магнитам. Поэтому их вершины притягиваются и отталкиваются так же, как и полюсы постоянных магнитов. Созданием составляющей поля по ОТН достигается преимущественный рост ПМД в каналах, расположенных под соответствующим углом к ОЛН. ПМД служат носителями информации, подвергающейся функциональной обработке в каналах под действием импульсов продвигающего поля. Алгоритм обработки определяется структурой каналов, которые могут быть прямолинейными, зигзагообразными, фигурными, разомкнутыми, замкнутыми. [10]
Продвигающие поля вызывают смещение границ ПМД только внутри выбранных низкокоэрцитивных каналов, созданных в высококоэрцитивных ТМП, если в них заранее образовать зародыши обратной намагниченности, без переключения других каналов и высококоэрцитивного массива пленки. Кроме протравливания каналов в слое алюминия нужной конфигурации фотолитографическим способом, низкокоэрцитивные каналы получают диффузией немагнитного материала в магнитные пленки, химическим травлением поверхности пленок, созданием неровностей на поверхности подложки перед напылением пленки. Продвигающие поля должны быть направлены против первоначальной намагниченности ТМП и совпадать с намагниченностью зародышей. Рост ПМД происходит за счет продвижения их остроугольных вершин. Домены вытянутой ромбовидной формы могут быть уподоблены постоянным магнитам. Поэтому их вершины притягиваются и отталкиваются так же, как и полюсы постоянных магнитов. Созданием составляющей поля по ОТН достигается преимущественный рост ПМД в каналах, расположенных под соответствующим углом к ОЛН. ПМД служат носителями информации, подвергающейся функциональной обработке в каналах под действием импульсов продвигающего поля. Алгоритм обработки определяется структурой каналов, которые могут быть прямолинейными, зигзагообразными, фигурными, разомкнутыми, замкнутыми. [11]
Если к ТМП, намагниченной вдоль ОЛН до насыщения, приложить достаточное локальное встречное поле, то процессом вращения спиновых моментов образуются домены обратной намагниченности. Минимальное значение HN такого поля называется пороговым полем доменообразования, а отношение HNIHW - коэффициентом доменообразования. С увеличением коэффициента доменообразования расширяются пределы изменения напряженности продвигающего поля, повышается надежность работы устройства и расширяются возможности увеличения скорости v (16.7), ибо HNHHW. Продвижение границы созданного домена обратной намагниченности происходит под действием поля HHN, Существенной трудностью, возникающей при создании схем с ПМД в узких каналах, является образование ложных обратных доменов. Высококоэрцитивный массив пленки не только запрещает боковой рост ПМД, но и повышает порог зарождения ложных обратных доменов внутри низкокоэрцитивных каналов, создавая непрерывность намагниченности на их краях. [12]
Страницы: 1