Капля - индий
Cтраница 1
 |
Сплавной германиевый диод. [1] |
Капля индия застывает и образует с р-германием омический контакт. [2]
Капля индия 7 выполняет роль коллектора, а капля индия 10 - роль эмиттера. Пластинка германия укреплена в дискет. Вывод от базы 2 сделан в виде кольца с отводом, надетого на корпус триода. [3]
Капля индия 7 выполняет роль коллектора, а капля индия 10 - роль эмиттера. Пластинка германия укреплена в дискет. Вывод от базы 2 сделан в виде кольца с отводом, надетого на корпус триода. [4]
 |
Принцип устройства плоскостных германиевых диодов, изготовленных сплавным ( а и диффузной - ным ( б методами. [5] |
В пластинку германия п-типа вплавляют при температуре около 500 С каплю индия, которая, сплавляясь с германием, образует слой германия р-типа. Область с электропроводностью р-типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка сравнительно высокоомного германия, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке германия и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят высокоомный германий р-типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область п-типа. [6]
В германиевом плоскостном диоде, у которого р-га-переход получен сплавным методом, в пластину 7 ( рис. 204, б) из германия с проводимостью п вплавлена капля индия 4, используемая в качестве примеси. В результате на границе между р и п областями создается электронно-дырочный переход значительной площади, что позволяет рассеивать большую мощность и пропускать гораздо больший ток, чем через точечный диод. Герметизация диода обеспечивается корпусом 12, что исключает влияние на р-га-переход внешней среды и механических повреждений. [7]
Круглая пластина п-германия, служащая базой, помещена в металлический корпус против окна, закрытого стеклом. Электронно-дырочный переход образован путем вплавления в пластинку германия капли индия. Таким образом, в фотодиоде этой конструкции световой поток направлен перпендикулярно плоскости р-п перехода. Возможно и другое расположение кристалла полупроводника, когда световой поток параллелен плоскости перехода. [8]
 |
Зависимость угла смачиваемости индием германия от температуры. [9] |
На рис. 6 - 9 дана зависимость угла смачиваемости германия электронного типа индием при различных температурах в вакууме. Угол смачиваемости зависит от веса капли. Для более тяжелой капли индия ( кривая 2) угол смачиваемости несколько больше. Это объясняется действием силы тяжести, которая стремится сделать каплю более плоской. [10]
При температуре около 500 С индий расплавляется на поверхности германия и диффундирует в него. Часть германия растворяется в капле индия. Застывшая капля служит электрическим контактом с дырочным слоем, а контакт с германием выполняется из свинца или олова. [11]
При температуре около 500 С индий расплавляется на поверхности германия и диффундирует в него. Часть германия растворяется в капле индия. Застывшая капля служит электрическим контактом с дырочным слоем, а контакт с германием выполняют из свинца или олова. [12]
 |
Получение р - л-перехода методом сплавления. [13] |
Кристалл помещается в графитовую кассету 3 и выдерживается в печи при 500 - 600 С в атмосфере водорода или аргона. При медленном охлаждении из расплава выпадает германий 5, насыщенный индием. Он кристаллизуется в форме монокристалла, ориентированного одинаково с монокристаллом подложки. Капля индия 6 на поверхности германия играет роль омического контакта, - обладающего практически линейной ВАХ. Такие контакты используются для подсоединения приборов в цепь. [14]
 |
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.| Полупроводниковые диоды. [15] |
Страницы: 1 2