А-раствор

Cтраница 4

При температуре Г4 происходит превращение всех кристаллов а-раствора в кристаллы р-раствора и остается лишний жидкий сплав. При пересечении линии PC происходит превращение всех кристаллов а в кристаллы р, жидкости становится меньше, но переход в твердое состояние еще не заканчивается. [46]

При этом жидкость, окружающая этот кристалл а-раствора, обогащается вторым компонентом В, и в результате этого происходит выделение кристаллов fi - твердого раствора. Образованию кристаллов fi - фазы способствует и то, что кристаллы а-фазы могут играть для них роль готовой подкладки. Жидкость, прилегающая к образовавшимся кристаллам ( i-фазы, в свою очередь обогащается компонентом А, и поэтому вновь выделяются кристаллы а-фазы, богатые компонентом А. В результате попеременного пересыщения жидкости по отношению к а - и 3-фазам образуется эвтектическая колония. [47]

При этом жидкость, окружающая этот кристалл а-раствора, обогащается вторым компонентом В, и в результате этого происходит выделение кристаллов 3-твердого раствора Образованию кристаллов ( 3-фазы способствует и то, что кристаллы а-фазы могут играть для них роль готовой подкладки. Жидкость, прилегающая к образовавшимся кристаллам 3-фазы, в свою очередь обогащается компонентом А, и поэтому вновь выделяются кристаллы а-фазы, богатые компонентом А. В результате попеременного пересыщения жидкости по отношению к а - и [ 5-фазам образуется эвтектическая колония. [48]

При этом жидкость, окружающая этот кристалл а-раствора, обогащается вторым компонентом В, и в результате этого происходит выделение кристаллов р-твердого раствора. Образованию кристаллов 3-фазы способствует и то, что кристаллы а-фазы могут играть для них роль готовой подкладки. Жидкость, прилегающая к образовавшимся кристаллам р-фазы, в свою очередь обогащается компонентом А, и поэтому вновь выделяются кристаллы а-фазы, богатые компонентом А. В результате попеременного пересыщения жидкости по отношению к а - и р1 - фазам образуется эвтектическая колония. [49]

Схема установки для электролизного борирования. [50]

Под слоем боридов располагается переходной слой из а-раствора бора в железе. Как видно из рис. 59, б, растворимость бора в а - и у-желе-зе очень мала. [51]

Схема зависимости твердости от температуры отпуска. [52]

Отпуск состоит в том, что из пересыщенного однородного а-раствора выпадает фаза-упрочнитель, которая, располагаясь в сплаве по плоскостям скольжения, будет оказывать сопротивление пластическому деформированию и тем самым упрочнять его. [53]

Диаграмма состояния III рода ( а, кривые охлаждения сплавов I, II, III и схемы их структур ( б. [54]

При дальнейшем охлаждении концентрация компонента В в твердом а-растворе уменьшается до значения, соответствующего точке F. Определим фазовый состав данного сплава при температуре /, , используя правило отрезков. [55]

В расплавах же состава С3 при перитектической реакции а-раствор расходуется полностью, а часть жидкой фазы остается в избытке. [56]

Дилатометрическая кривая отпуска закаленной ( а и отожженной ( б углеродистой стали ( 1 2 % С. [57]

Отпущенный мартенсит - это гетерогенная смесь пересыщенного углеродом а-раствора ( неоднородной концентрации - от исходной до незначительно большей, чем в феррите) и не обособленных частиц карбида. [58]

Схема возникновения искажения решетки при образовании зародыша карбида внутри кристаллика а - твердого раствора. Светлые кружки - атомы железа, черные - атомы углерода. [59]

Вследствие того что удельные объемы е-кар бида и а-раствора различны, между ими возникают сильные микроискажения кристаллических решеток обеих фаз. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5