Кристаллический карбид - кремний
Cтраница 1
 |
Предполагаемая схема процесса получения SiC. [1] |
Кристаллический карбид кремния по своим физико-химическим и электрофизическим свойствам является весьма перспективным полупроводниковым материалом. Однако в настоящее время этот материал мало используется в полупроводниковой технике из-за того, что технология получения достаточно совершенных пленок и кристаллов SiC связана с большими трудностями и дорога. Поэтому актуальной является задача совершенствования технологии получения названных пленок и кристаллов. Для решения ее необходимо проведение физико-химических исследований условий роста кристаллической фазы SiC; должно выясниться влияние различных факторов на ее степень совершенства и скорость роста. [2]
Бесцветный кристаллический карбид кремния получается лабораторными способами. На раскаленной угольной нити путем реакции между парами бензола и силана можно получить небольшие монокриспаллы карбида кремния. [3]
Бесцветный кристаллический карбид кремния получается лабораторными способами. На раскаленной угольной нити путем реакции между парами бензола и силана можно получить небольшие монокристаллы карбида кремния. [4]
Выход кристаллического карбида кремния по отношению к выходу аморфного карбида кремния возрастает по мере увеличения мощности печи. Выход кристаллического карбида кремния, считая на вес загруженного песка и кокса, выражается для последней печи в 27 - 30 % при одновременном образовании 10 - 12 % графита. [5]
 |
Высокотемпературная установка для инфракрасной спектроскопии. [6] |
Полированная пластинка из кристаллического карбида кремния является отражателем излучения подковообразной ртутной лампы. Отраженные лучи, включающие комбинационные частоты, проходят через щель в спектрограф. Преимущество этой системы состоит в ее гибкости, а недостаток - в слабости спектра комбинационного рассеяния из-за относительно малой интенсивности возбуждающего излучения. [7]
Получаемый продукт, состоящий из чистого кристаллического карбида кремния, графита ( образовавшего при разложении SiC), аморфного карбида кремния серо-зеленого цвета, тщательно сортируют. [8]
Действительно, в производственных печах между слоями непрореагировавшей шихты и кристаллического карбида кремния всегда образуется слой белесо-зеленоватого продукта. [9]
 |
Зависимость степени превращения метилтрихлорсилана ( х от скорости подачи ( п при различных температурах. [10] |
Таким обраном, в области относительно низких температур ( до 1450 С) скорость образования кристаллического карбида кремния определяется скоростью химической реакции разложения метилтрихлорсилана. [11]
 |
Классификация и условные графические обозначения полупроводниковых резисторов. [12] |
Полупроводниковым материалом для изготовления варисторов служит карбид кремния. Порошкообразный кристаллический карбид кремния смешивают с глиной и из этой массы прессуют заготовки варисторов в виде стержней или дисков. [13]
Выход кристаллического карбида кремния по отношению к выходу аморфного карбида кремния возрастает по мере увеличения мощности печи. Выход кристаллического карбида кремния, считая на вес загруженного песка и кокса, выражается для последней печи в 27 - 30 % при одновременном образовании 10 - 12 % графита. [14]
Метод основан на предварительном отделении примесей от основы фракционной дистилляцией в испарителе с последующим возбуждением спектра примесей в дуге переменного тока и измерением почернений соответствующих спектральных линий. Процессу фракционной дистилляции предшествует измельчение кристаллического карбида кремния в специальной ступке. [15]
Страницы: 1