Длина - волна - излучаемый свет
Cтраница 1
Длина волны излучаемого света определяется разностью энергий двух энергетических уровней, между которыми происходит переход электронов на излучательном этапе процесса рекомбинации. В связи с разной шириной запрещенной зоны у различных полупроводниковых материалов и разной глубиной залегания в запрещенной зоне энергетических уровней различных примесей, обеспечивающих излучательную рекомбинацию носителей заряда, длина волны излучаемого света различна в разных светодиодах. Так, максимум спектральной характеристики светодиодов, изготовленных на основе монокристаллов твердых растворов фосфида и арсенида галлия GaAs Pj, лежит в пределах от 565 км ( желтое излучение) для светодиодов из фосфида галлия до 920 нм ( близкое инфракрасное излучение) для светодиодов из арсенида галлия. [2]
Длина волны излучаемого света определяется разностью энергий уровней, между которыми происходит переход электронов. В арсениде галлия и фосфиде индия эта разность близка к ширине запрещенной зоны полупроводника. То же самое относится к зеленой полосе люминесценции в фосфиде галлия. [3]
Длина волны излучаемого света определяется разностью энергий уровней, между которыми происходит переход электронов. В арсениде галлия и фосфиде индия эта разность близка к ширине запрещенной зоны полупроводника. [4]
 |
Схема включения торыми происходит переход элек-светодиода тронов. [5] |
Одним из основных параметров светодиодов является длина волны излучаемого света, определяющая цветосвечения Я. [6]
Поскольку с уменьшением температуры ширина запрещенной зоны увеличивается, длина волны излучаемого света, как правило, монотонно уменьшается. Если при комнатной температуре длина волны излучения арсенидо-галлиевых источников света равна 0 9 мкм, то при температуре жидкого азота она составляет уже 0 84 мкм. [7]
С помощью полупроводниковых лазеров с электронным возбуждением удается получить очень широкий диапазон длин волн излучаемого света - от инфракрасных до ультрафиолетовых. [8]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны твердого раствора GaAsi i Pt от х. [9] |
Наличие примесей, естественно, изменяет энергетические уровни, а тем самым и длину волны излучаемого света. [10]
Зависимость фотоэффекта от длины волны падающего света и зависимость интенсивности излучения при электролюминесценции от длины волны излучаемого света называют спектральными характеристиками. Спектральные характеристики полупроводниковых фотоприемников и излучателей определяются структурой энергетических зон материала, в частности, примесными энергетическими уровнями. [11]
Легированием полупроводника теми или иными примесями удается за счет примесной зоны изменять энергию рекомбинации и, следовательно, длину волны излучаемого света. Так, диоды на GaP дают два максимума излучения: 5650 и 7000 А. Диоды на GaAsP обеспечивают свечение в диапазоне от 6000 до 7000 А. [12]
В арсениде галлия, у которого A IF примерно равна ширине запрещенной зоны ( 1 38 эВ), длина волны излучаемого света составляет 0 9 мкм, поэтому из арсенида галлия делают эффективные СИД ИК-диапазона. [13]
Так, например, в арсениде галлия, у которого Е примерно равняется ширине запрещенной зоны ( 1 38 зв), длина волны излучаемого света составляет 0 9 мкм. Для того, чтобы получить излучение в более коротковолновой области спектра, приходится использовать материал с большей шириной запрещенной зоны. Так, на основе карбида кремния и фосфида галлия получены источники света с излучением в зеленой, желтой и красной областях видимого света. Цвет свечения определяется как введенными примесями ( азот, алюминий, бор, галлий, магний в карбиде кремния, цинк, кислород в фосфиде галлия), так и политипизмом полупроводника. Например, при введении бора в карбид кремния альфа-модификации типа 21 R; 6Н или 4Н могут быть получены светодиоды с красным, желтым или зеленым цветом свечения соответственно. [14]
К основным параметрам светодиодов относятся: яркость и мощность излучения, рабочее постоянное прямое напряжение, наибольшее постоянное или импульсное обратное напряжение, время нарастания и спада импульса излучения, длина волны излучаемого света или его цвет, наибольший прямой постоянный или импульсный ток, КПД, долговечность и др. Смысл большинства параметров понятен из их названия. [15]
Страницы: 1 2 3