Длина - электронная волна
Cтраница 2
 |
Схема, показывающая принцип электронной микроскопии на основе метода восстановления волнового фронта. [16] |
Все основные его размеры, которые определяют форму волны, изменяют пропорционально отношению длины световой волны к длине электронной волны. Поскольку фокусное расстояние электронных линз - параметр несущественный, нет необходимости изменять его в том же масштабе. [17]
Сразу объяснился образ паутины разрешенных орбит - прерывистость их череды: ближайшие друг к другу различаются по меньшей мере на целую длину электронной волны и между ними возникает кольцевой просвет. [18]
Сразу объяснился образ паутины разрешенных орбит - прерывистость их череды: ближайшие друг к другу различаются по меньшей мере на целую длину электронной волны и между ними возникает кольцевой просвет. [19]
 |
Две потенциальные ямы.| Волновые функции электрона в случае далеких ям. [20] |
При сближении атомов в молекулу барьер между ямами становится прозрачным ( § 63), ибо его ширина делается соизмеримой с длиной электронной волны. [21]
Весьма существенно, что формула Вульфа - Брэггов, выведенная для случая дифракции рентгеновских лучей, оказалась справедливой и в случае дифракции электронов: значение длины электронной волны, рассчитанное по формуле Вульфа - Брэггов ( по данным опытов с дифракцией электронов), совпало с ее значением, вычисленным по формуле де - Бройля. [22]
Весьма существенно, что формула Вуль-фа - Брэггов, выведенная для случая дифракции рентгеновских лучей, оказалась справедливой и в случае дифракции электронов: значение длины электронной волны, рассчитанное по формуле Вульфа - Брэггов ( по данным опытов с дифракцией электронов), совпало с ее значением, вычисленным по форму - нс ле де - Бройля. [23]
Аналогия с электрическим сопротивлением металла становится менее пригодной при низких температурах, так как длины эффективных тепловых волн растут с падением температуры ниже температуры Дебая 0, тогда как длины электронных волн определяемые границей Ферми, практически не зависят от температуры вплоть до абсолютного нуля. [24]
Возможность применения метода дифракции медленных электронов ( ДМЭ) для изучения поверхностных явлений связана с малой проникающей способностью электронов при энергиях от нескольких электронвольт до сотен электронвольт и с тем фактом, что длина электронной волны ( 150 / В) 1 / 2 оказалась подходящей для дифракции на кристаллических решетках твердых веществ. Показано, что для электронов с энергиями не выше 250 - 300 эВ заметный вклад в образование дифракционной картины вносят только два или три верхних слоя атомов поверхности, причем основной вклад приходится на первый монослой. Из-за малой проникающей способности электронов дифракционная картина по многим характеристикам больше похожа на картину дифракции света от двумерной решетки, чем на дифракцию рентгеновских лучей от трехмерной решетки кристаллов. Чтобы оценить эти различия, целесообразно сравнить дифракционные картины рентгеновских лучей и ДМЭ. Для получения лауэграмм используют узкий пучок белого рентгеновского излучения, перпендикулярно падающий на монокристалл. От непрозрачного кристалла и рентгеновские лучи и медленные электроны отражаются и появляются с той же стороны кристалла, откуда падает исходный пучок. Серии брэгговских отражений от разных рядов плоскостей в кристалле образуют дифракционную картину. Эти отражения можно получить в виде маленьких точек на фотопленке, помещенной на расстоянии нескольких сантиметров от кристалла перпендикулярно падающему лучу. Каждая точка соответствует брэгговскому отражению от одного ряда атомных плоскостей при одной длине волны. [25]
Атомная структура кристаллов никеля известна из опытов по дифракции рентгеновских лучей. Длина электронных волн дается формулой (9.3), а угол, при котором наблюдается максимум интенсивности отражения, может быть найден по формуле Вульфа-Брэгга. Сравнение полученного результата с экспериментально найденным значением а0 позволяет произвести сравнение формулы де Бройля с экспериментом. Формула де Бройля была достаточно хорошо подтверждена. [26]
Разрешающая способность любого микроскопа, в частности оптического или электронного, определяется длиной волны применяемого излучения. Однако длины электронных волн, согласно формуле (4.4), зависят от скорости электронов. Используя в электронном микроскопе большие ускоряющие напряжения, можно получить электроны с очень большими скоростями и, следовательно, с очень малыми длинами волн; тем самым разрешающая способность электронного микроскопа оказывается значительно больше разрешающей способности оптических микроскопов. Так, при ускоряющих напряжениях от 1) 0 до 100 кВ разрешающая способность электронных микроскопов приближается к 20 А. [27]
Разрешающая способность любого микроскопа, в частности, оптического или электронного определяется длиной волны применяемого излучения. Однако длины электронных волн, согласно (4.4), зависят от скорости электронов. Используя в электронном микроскопе большие ускоряющие напряжения, можно получить электроны с очень большими скоростями и, следовательно, с очень малыми длинами волн; тем самым разрешающая способность электронного микроскопа оказывается значительно больше разрешающей способности оптических микроскопов. [28]
Использование тонких пленок железа как носителей пассивирующей пленки позволило применить метод прохождения электронов, как дающий наболев точные результаты. Ускоряющее напряжение при этом не измерялось; необходимое для расчетов значение удвоенного произведения длины электронной волны X на эффективную длину электронографа L, 2LX, вычислялось из положения линий железа, почти всегда присутствовавшего в образце, и имеющихся точных рентгенографических данных для постоянной а решетки железа. [29]
 |
Рассеяние электронной волны кристаллической решеткой металла. [30] |
Страницы: 1 2 3