Картина - электронная дифракция
Cтраница 1
 |
Структура ферроцена, определенная в твердой фазе Дифрак-нпей рентгеновских лучей ( о и в газовой фале дифракцией электронов ( б. [1] |
Картина электронной дифракции дает расстояние не только между связанными друг с другом парами атомов, но ii между всеми возможными парами атомов. Поэтому анализ многоэлектрон-ной молекулы может быть очень сложным. Если имеется лишь несколько атомов, то пики можно проанализировать достаточно быстро; анализ состоит в предсказании геометрик и расчете картины интенсивности па основании уразкеггия Вирля, Лучший результат считается истинной геометрией молекулы. [2]
Картина электронной дифракции дает расстояние не только между связанными друг с другом парами атомов, но и между всеми возможными парами атомов. Поэтому анализ многоэлектрон-ной молекулы может быть очень сложным. Если имеется лишь несколько атомов, то пики можно проанализировать достаточно быстро; анализ состоит в предсказании геометрии и расчете картины интенсивности на основании уравнения Вирля, Лучший результат считается истинной геометрией молекулы. [3]
 |
Структура ферроцека, определенная в твердой фазе Днфрак. [4] |
Картина электронной дифракции дает расстояние не только гжду связанными друг с другом парами атомов, но и между все-я возможными парами атомов. Поэтому анализ многоэлектрон-й молекулы может быть очень сложным. Если имеется лишь не-олько атомов, то пики можно проанализировать достаточно бы-ро; анализ состоит в предсказании геометрии и расчете картины 1тенсидности на основании уравнения Вирля, Лучший результат итается истинной геометрией молекулы. [5]
Картину электронной дифракции - электронограмму - получают как на просвет от образца толщиной порядка нескольких десятков нанометров, так и на отражение от плоского образца, поставленного так, что электронный луч практически скользит по его поверхности, образуя с ней угол в несколько минут. Благодаря чрезвычайно сильному рассеянию электронов при почти полном отсутствии поглощения, а также использованию при получении электронограмм почти всей мощности электронного пучка интенсивность дифракционных максимумов электроно-граммы очень высокая. [6]
Согласно обнаруженным картинам электронной дифракции было сделано заключение, что кластеры Аг ( п 30 - г - 50) являются твердыми, но имеющими аморфную, возможно политетраэдрическую, структуру. При повышении давления р0 в первой камере ( резервуаре) с 1300 Тор до 10 бар возникали частицы аргона диаметром - 30 А, содержащие около 500 атомов, структура которых отличалась от ГЦК-струк-туры массивного кристалла. Недавно Ким и Штейн [309] усовершенствовали методику электронографического исследования кластеров в потоке пара. [7]
На картинах электронной дифракции такой пленки имеются экстраотражения, характерные ( Ш) - двой-викованию. На микроснимке показаны дефекты упаковки и узкие двойники. На рис. 13 показан типичный пример ( 111) - двойниковкния, пленке р - SiC, полученной химическим преобразованием Si ( 100) на сапфире при температуре 1100 С. [9]
Аналогичным способом пересечения кикучи-линий в картинах электронной дифракции используют для установления соотношения между постоянной решетки и длиной волны, а также для определения одной величины с помощью другой. [10]
Некоторые выпущенные конструкции целиком предназначены для изучения картин электронной дифракции. Эти картины дополняют сведения, полученные на основании изображений, даваемых микроскопами. [11]
Волокнистые текстуры могут быть легко выявлены по картине электронной дифракции в случаях, когда падающий луч не совпадает с осью текстуры. Такая картина состоит из дуг дебаевских колец, которые симметричны по отношению к линии, нормальной как падающему лучу, так и оси текстуры. Центры дуг расположены в определенном порядке, который зависит от кристаллической структуры, кристаллографического направления и отклонения оси текстуры от падающего луча. [12]
С применением промежуточной линзы связана возможность легкого перехода от наблюдения микроскопического изображения кристаллических объектов к наблюдению картины электронной дифракции. Согласно дифракционной теории, изображение, которое дает объектив микроскопа, является результатом интерференции лучей, испытавших дифракцию на объекте. [13]
Имеющихся данных пока не достаточно для создания окончательной модели в связи с неоднозначностью метода анализа с помощью картин электронной дифракции. [14]
Однако недавно было обнаружено154, что при отжиге тонких ( 50 нм) аморфных карбиновых пленок на поверхности ионного кристалла при 400 С в вакууме происходит частичная кристаллизация карбина. Картина электронной дифракции с кристаллических областей, занимающих около 30 % поверхности пленки, соответствует гексагональной решетке с п.э.я. а0 87 нм. [15]
Страницы: 1 2