Картина - осадок
Cтраница 1
Картины осадка ( системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ионном распылении монокристаллов, интерпретировалрсь как прямое доказательство фокусировки при столкновениях в цепочке атомов. Однако отчетливые картины осадка были получены даже для кристаллических решеток, в ко торых невозможна фокусировка при столкновениях ( Ge, Si), или в гексагональной плотно упакованной решетке в направлениях, построенных из зигзагов. Подобные картины были получены даже для энергии ионов при которых в цепочке столкновений не могло участвовать более двух или трех атомов решетки. [1]
Картина осадка из распыляемого вещества на прозрачном экране имеет вид дискретных пятен. [2]
Картина осадка из распыляемого вещества па прозрачном экране имеет вид дискретных пятен. [3]
На рис. 12 в качестве примера приведены картины осадка, полученные при ионном распылении плоскостей ( 111), ( 100) и ( 110) кристаллов с гранецентрированной кубической решеткой. Все пятна соответствуют направлениям 110, как это показано с помощью стержней на моделях кристалла. [4]
Появление каждой из упомянутых теорий было вызвано необходимостью объяснить, как изменяется коэффициент распыления с изменением энергии падающих ионов и направления, в котором проводится бомбардировка, однако эти теории не в состоянии обнаружить причины образования картины осадка распыленного материала при ионном распылении монокристаллов, о которой говорилось выше. [5]
Картины осадка ( системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ионном распылении монокристаллов, интерпретировалрсь как прямое доказательство фокусировки при столкновениях в цепочке атомов. Однако отчетливые картины осадка были получены даже для кристаллических решеток, в ко торых невозможна фокусировка при столкновениях ( Ge, Si), или в гексагональной плотно упакованной решетке в направлениях, построенных из зигзагов. Подобные картины были получены даже для энергии ионов при которых в цепочке столкновений не могло участвовать более двух или трех атомов решетки. [6]
Осадки между доменами имеют вид белых линий. На рис. 996 приведена картина осадка после нанесения непрерывных вертикальных царапин. На рисунке по линиям осадка ( короткие вертикальные белые штрихи) видно, что только на части доменов царапины оказались перпендикулярными к направлению намагниченности доменов. На рис. 99в приведена картина осадка после нанесения двух взаимно-перпендикулярных рядов царапин. [7]
На рис. 12.11, а показана доменная структура на поверхности кристалла, составляющей небольшой угол с естественной кристаллографической плоскостью, в которой расположено направление легкого намагничивания. Осадки между доменами имеют вид белых линий. На рис. 12.11 6 изображена картина осадка после нанесения на поверхность образца непрерывных вертикальных царапин. [9]
Осадки между доменами имеют вид белых линий. На рис. 996 приведена картина осадка после нанесения непрерывных вертикальных царапин. На рисунке по линиям осадка ( короткие вертикальные белые штрихи) видно, что только на части доменов царапины оказались перпендикулярными к направлению намагниченности доменов. На рис. 99в приведена картина осадка после нанесения двух взаимно-перпендикулярных рядов царапин. [10]
Следствием Этого механизма распыления является закон косинуса Кнудсена для углового распределения эмиттируемого материала. Такой характер распределения экспериментально подтвердили Зеелигер и Зоммермейер [81], которые, кроме того, установили, что распределение не зависит от угла падения ионов. Однако позже Венер [16] отметил, что при низких энергиях ионов пространственное распределение выброса материала мишени зависит от угла падения ионов. В дальнейшем работы по изучению картин осадка рас - ыленного материала при ионном распылении монокристаллов и энергетического распределения эмиттированных атомов, уже рассмотренные нами в предыдущих разделах данной главы, ясно показали, что ионное распыление действительно является процессом передачи импульса. [11]
Картины осадка ( системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ионном распылении монокристаллов, интерпретировалрсь как прямое доказательство фокусировки при столкновениях в цепочке атомов. Однако отчетливые картины осадка были получены даже для кристаллических решеток, в ко торых невозможна фокусировка при столкновениях ( Ge, Si), или в гексагональной плотно упакованной решетке в направлениях, построенных из зигзагов. Подобные картины были получены даже для энергии ионов при которых в цепочке столкновений не могло участвовать более двух или трех атомов решетки. Гаррпсон с сотрудниками [28] а также Леманн и Зигмунд [29] пришли к выводу, что в ионное распыление фокусирующие ЦРПОЧКИ вносят очень малый вклад Ионное распыление является в основном результатом столкновений, происходящих вблизи по верхности, и картину осадка можно объяснить, рассматривая столкновения только в трех приповерхностных атомных слоях. Гаррисон считает, что со временные вычислительные машины не обладают необходимыми емкостью памяти и быстродействием, чтобы полностью смоделировать процесс ион ного распыления. [12]
Страницы: 1