Cтраница 4
![]() |
Магнитное поле индуктора, внутрь которого помещена нагреваемая деталь. [46] |
Из картины поля видно, что с наибольшим магнитным потоком связаны нити тока, расположенные в средней плоскости индуктора, где и наблюдается максимальный настил ( поверхностная плотность) тока. За пределами индуктирующего провода, индуктированный ток быстро спадает. [47]
![]() |
Картины магнитных полей вокруг вильчатого болта в приложенном поле двух соленоидов ПМД-70. [48] |
Из картины поля видно, что магнитные силовые линии вокруг болта перпендикулярны к его цилиндрической поверхности, а 0 значительно больше трех. При таком распределении поля трещины не выявляются. При использовании двух удлинителей: 1 и 2 ( рис. 3.21, б) картина поля изменилась, магнитные силовые линии направлены под небольшим углом к образующей болта, а 8 стало значительно меньше трех. Это обеспечивает уверенное выявление трещин. [49]
![]() |
Картина поля в зазоре. [50] |
Когда картина поля под полюсом вычерчена, можно продолжить ее в зону полюсного окна, чтобы определить поле рассеяния. [51]
![]() |
Катушки, выполненные проводом ( а и. Х2, ... лентой ( б. [52] |
Поскольку картина поля у обеих катушек будет одинаковой, то и поток, создаваемый рассматриваемыми катушками, будет иметь одну и ту же величину. [53]
Эта картина поля со временем меняется. Последнее объясняется тем, что ip ( Q) для различных точек пластины имеет различные фазы. [54]
![]() |
Схематическая картина поля в кристалле ( а - период решетки. Пунктиром построена огибающая / 1чг. [55] |
Схематически картина поля в кристалле изображена на рис. 1.3. Возникновение целого набора волн в кристалле отражает отличие истинного, действующего поля от среднего, чем пренебрегает классическая кристаллооптика. [56]
Поэтому картина поля для волны ТЕ й дана на рис. 193 в трех проекциях. На рис. 194 показано поле волны ТЕ2о, которое, как и выше, можно составить из двух полей Т ЕЮ. [57]
Схематически картина поля поверхностной волны ( в аксонометрии) изображена на рис. 26.8, а. [58]
Поэтому картина поля электрического диполя, полученная в § 29, целиком переносится на магнитный диполь. [59]
Изменение картины поля над дефектом при переходе к режиму остаточной намагниченности является следствием действия поля детали, которое возникает не только при продольном намагничивании, но и при циркулярном намагничивании деталей сложной формы, кольцевых деталей при несимметричном их расположении на проводнике с током, при намагничивании с помощью электромагнитов. Во всех этих и других случаях при прочих равных условиях чувствительность магни-топорошкового метода контроля зависит от расположения области II относительно трещины, которое определяется отношением нормальной Ян к тангенциальной Ят составляющей поля. [60]