Картина - пробой
Cтраница 1
Картина пробоя не центросимметрична в кристаллах нецентральной симметрии ( кварц, рис. 2 - 7), поэтому метод картин путей пробоя обеспечивает простой и удобный способ для испытания кристаллов центральной симметрии. Так, если пути, берущие начало е двух сторон разделенного среза недвойникованного кристалла, непараллельны, кристалл нецентросимметричен. Обратное утверждение, однако, не всегда правильно, если пути пробоя лежат главным образом в первичных, а не в главных направлениях кристалла. [2]
Картина пробоя приэлектродного слоя еще неясна. В связи с большим перепадом температур на этом слое здесь могут иметь место как термический пробой за счет перехода несамостоятельного разряда в дуговой1, так и искровой пробой, наблюдающийся в холодных газах. Критерии, отражающие указанные процессы, также необходимо ввести в обобщенные формулы. В работе [4] для учета влияния лавинного пробоя предложено ввести в систему безразмерных аргументов критерий Кнудсена. Однако нет полной уверенности, что именно эти процессы играют решающую роль в установлении длины продольно-обдуваемой дуги. [3]
Неудобство методики картин пробоя заключается в том, что она может быть применена только к таким прозрачным кристаллам, для которых получаются удобные для изучения невырожденные картины путей пробоя. [5]
 |
Схема ступенчатого распространения лавин и положительных стримеров в длинном искровом промежутке. [6] |
Развивая далее картину пробоя при длинном искровом промежутке, Мик и Леб полагают [1870, 1920], что во время распространения положительного стримера от точки х х0 до катода дальнейшее продвижение головки первоначальной лавины несколько замедлено действием положительного заряда ионов на электронную головку лавины. Когда положительный стример достигает катода, в созданный им канал устремляются с катода электроны, освобождаемые у-процессами. Эти электроны нейтрализуют положительные объемные заряды канала и превращают последний в ниточку плазмы с большой электропроводностью. В частях разрядного промежутка, лежащих за этой точкой ближе к аноду, идет рост лавины электронов. [7]
Данных о подробной количественной разработке этой картины пробоя в длинных трубках в литературе не имеется. [8]
Было установлено, что ориентирование путей не находится в сильной зависимости от характеристик связи, и картины пробоя соответствуют макроскопической структуре кристалла. Подобные фигуры пробоя, в которых обнаруживается одинаковая макроскопическая симметрия, наблюдались в ортором-бических кристаллах ( сера, арагонит, барит) и ангидридах; аналогичные результаты были получены в других симметричных системах. В нецентросимметричных кристаллах картины пробоя полностью соответствуют точечно-групповой симметрии кристаллов ГЛ. [9]
В различных условиях пробоя могут быть получены различные фигуры, но для данного кристалла все фигуры имеют общую симметрию, которую можно назвать симметрией картины пробоя. [10]
При изучении электрического пробоя важно, чтобы в образцах - объектах исследования не было пор ( газовых включений), поскольку в них возникает ударная ионизация, искажающая картину пробоя. [11]
Было установлено, что ориентирование путей не находится в сильной зависимости от характеристик связи, и картины пробоя соответствуют макроскопической структуре кристалла. Подобные фигуры пробоя, в которых обнаруживается одинаковая макроскопическая симметрия, наблюдались в ортором-бических кристаллах ( сера, арагонит, барит) и ангидридах; аналогичные результаты были получены в других симметричных системах. В нецентросимметричных кристаллах картины пробоя полностью соответствуют точечно-групповой симметрии кристаллов ГЛ. [12]
С увеличением частоты поля электрическая прочность жидких диэлектриков уменьшается. В силу особенностей пробоя технически чистых жидких диэлектриков электрическая прочность их мало зависит от химической природы, а по существу характеризует степень чистоты. В таких сильных электрических полях может иметь место выход электронов из катода, осложняющий картину пробоя. У сверхчистых дегазированных жидкостей пробой, очевидно, происходит за счет ударной ионизации электронами, вырванными полем из катода. В связи с исключительно большими трудностями сохранения высокой степени чистоты жидких диэлектриков особо тщательно очищенные жидкости не имеют промышленного значения. [13]
С увеличением частоты электрическая прочность жидких диэлектриков уменьшается. В силу особенностей пробоя технически чистых жидких диэлектриков электрическая прочность их мало зависит от химической природы, а по существу характеризует степень чистоты. Обычно она лежит в пределах 100 - 200 кв / см. У жидкостей, особо тщательно очищенных, электрическая прочность достигает значений порядка 1 000 кв / см. В таких сильных электрических полях может иметь место выход электронов из катода, осложняющий картину пробоя. У сверхчистых дегазированных жидкостей пробой, очевидно, происходит за счет ударной ионизации электронами, вырванными полем из катода. В связи с исключительно большими трудностями сохранения высокой степени чистоты жидких диэлектриков особо тщательно очищенные жидкости не имеют промышленного значения. [14]
С увеличением частоты электрическая прочность жидких диэлектриков уменьшается. В силу особенностей пробоя технически чистых жидких диэлектриков электрическая прочность их мало зависит от химической природы, а по существу характеризует степень чистоты. Обычно она лежит в пределах 100 - 200 кв / см. У жидкостей, особо тщательно очищенных, электрическая прочность достигает значений порядка 1 000 / се / ел. В таких сильных электрических полях может иметь место выход электронов из катода, осложняющий картину пробоя. У сверхчистых дегазированных жидкостей пробой, очевидно, происходит за счет ударной ионизации электронами, вырванными полем из катода. В связи с исключительно большими трудностями сохранения высокой степени чистоты жидких диэлектриков особо тщательно очищенные жидкости не имеют промышленного значения. [15]
Страницы: 1 2