Картина - рассеяние
Cтраница 3
 |
Структурный фактор рассеяния жидкого олова. [31] |
Это оз-что определяющим в образовании картины рассеяния одноатомными жидкостями и аморфными ве-является кратчайшее ме -: расстояние Ri, повторяющееся в разных порядках интерференции. [32]
Очевидно, что в этом случае картина рассеяния молекул после первого столкновения является суперпозицией рассеяния молекул на молекулах, отраженных отдельными элементами пластинки. [33]
 |
Схема дифрактометра с лазером в качестве источника. [34] |
На рис. 9 показана схема формирования картины рассеяния и изображения объекта. В верхней части рисунка ( а) приведена оптическая схема и ход лучей при формировании увеличенного изображения. Рамкой S моделируется волокно ( нить) или группа волокон, а темным кружком ( объект) - элемент внутренней структуры, например сферолит На рисунке изображен лишь один элемент; увеличение их числа не изменяет хода рассуждений. [35]
Для растворов с химическим взаимодействием компонентов характерна неустойчивая картина рассеяния - невоспроизводимость результатов вследствие образования продуктов реакции. [37]
Очевидно, разности фаз щ полностью определяют картину рассеяния; в частности, дифференциальное сечение обращается в нуль, если все фазы OLI равны 0 или тт. [38]
По этой же причине имеется возможность классического описания картины рассеяния. Одно из условий применимости классической механики (1.49) выполняется с запасом. Второе условие, гарантирующее определенность классической траектории (1.50), выполняется, если угол рассеяния не слишком мал. Область же малых углов, определяющая сходимость интеграла полного сечения и величин типа (1.20), требует квантовомеханиче-ского рассмотрения. [39]
Идея основного эксперимента структурного анализа состоит в наблюдении картины рассеяния монохроматического излучения вещественным объектом Р ( рис. В. Для бесконечного объекта интенсивность рассеяния, без учета поглощения, должна быть бесконечной. Предполагаем, что объект полностью купается в первичной волне. Трехмерную картину рассеяния трехмерным объектом удобно описывать в векторной форме. [40]
Попутно переход от непосредственного наблюдения прямого изображения к картине рассеяния позволяет избежать упоминавшихся выше трудностей, связанных с дифракцией от объекта ( тонкого волокна) как целого. Совмещение на одном приборе двух приемов наблюдения открывает дополнительные возможности изучения локальной дифракции или решения обратной задачи: выбора участка, дифракция от к-рого почему-либо представляет специальный интерес, изоляции этого участка с помощью диафрагмы и затем прямого его наблюдения. [41]
Если внутримолекулярные колебания возбуждены светом, качественно меняется и картина рассеяния. На смену слабому нарастанию компонент рассеянного света в спонтанном рассеянии приходит носящее характер неустойчивости экспоненциальное нарастание рассеянных компонент в вынужденном рассеянии - В нелинейной оптике этим обстоятельством пользуются для эффективного преобразования частоты. [42]
Поскольку для ориентированных полимеров, как правило, получаются анизотропные картины рассеяния ( овалы или пятна), эти картины отображают форму рассеивающих элементов, все измерения которых, однако, как показали Гинье и Фурне ( [1], стр. Это означает, что частицы или полости самых малых размеров соответствуют максимальному растяжению картины рассеяния под малыми углами, и наоборот. [43]
Теория светорассеяния разработана достаточно полно и хорошо описывает связь картин рассеяния с характером структурных единиц. Наиболее изученными объектами являются сферолиты и ориентированные кристаллические структуры. [44]
В качестве примера, иллюстрирующего влияние дефектности решетки на картину рассеяния электронов, рассмотрим распределение интенсивности в обратном пространстве при рассеянии электронов паракристаллом. Согласно данным Хоземана [19], под паракристаллом понимается решетка, в которой от ячейки к ячейке векторы изменяются как по величине, так и по направлению в противоположность совершенным кристаллам. [45]
Страницы: 1 2 3 4