Cтраница 1
![]() |
Контакт металл-полупроводник. [1] |
Энергетические картины для рассмотренных случаев изображены на рис. 4.9. Аналогичные результаты, но при противоположных полярностях напряжений, можно получить и для дырочного полупроводника. [2]
![]() |
Искривление границ зон вблизи поверхности и положение уровня поверхностных состояний. [3] |
Энергетическая картина у поверхности будет, естественно, определяться не только поверхностными состояниями, но и знаком и концентрацией носителей в объеме полупроводника. [4]
Энергетическая картина поверхности представлена на рис. XIV.I. Быстрые состояния отмечены на графике символом gf, медленные состояния - % А и gD для состояний акцепторного и донорного типов соответственно. Эти уровни не следует смешивать с донорными уровнями внутри объема полупроводника. Фактически здесь речь идет о двух типах поверхностных зарядов. Обратим особое внимание на то, что донорные состояния расположены ниже уровня Ферми, а акцепторные - выше. [5]
Энергетическую картину данного соединения характеризуют зоны Ге и Га, соответствующие двойным группам симметрии. [6]
Пространственную энергетическую картину поля определяет потенциал отдельных точек поля, численно равный работе, которая будет совершена силами поля при переносе единицы положительного заряда из этой точки в точку с нулевым потенциалом. В электротехнике мы принимаем, что нулевым потенциалом обладает земля. [7]
Рассматривая энергетическую картину процесса, отмечаем всюду, начиная с момента времени т, наложение электромагнитной волны на неподвижное электрическое поле. У поверхности С3, наоборот, происходит преобразование части электрического поля в электромагнитные волны. [8]
На рис. 4.10 изображены энергетические картины для случаев контакта металла с п-полупроводником. [9]
![]() |
Энергетическая диаграмма атома лития в невозбужденном состоянии.| Энергетическая диаграмма атома лития в возбужденном состоянии. [10] |
Строго говоря, излагаемая далее энергетическая картина справедлива лишь для кристаллических структур. [11]
![]() |
Классическая (. кл и истинная (. о энергии активации реакции XY Z - X YZ. [ Энергия активации обратной ( эндотермической реакции равна. j. 0 QJ. [12] |
Очевидно, приведенная диаграмма детализирует энергетическую картину активных столкновений, о которых говорилось в гл. Построение поверхностей потенциальной энергии в общем случае весьма сложно и его можно осуществить лишь для небольшого числа очень простых реакций и то очень приближенно. [13]
![]() |
Классическая Екя и истинная Е0 энергии активации реакции XY Z - X YZ [ энергия активации обратной ( эндотермической реакции равна EQ EO Q ]. [14] |
Очевидно, приведенная диаграмма детализирует энергетическую картину активных столкновений, о которых говорилось в гл. [15]