Соответствующая картина
Cтраница 3
Видна очень сложная, существенно нестационарная картина движения газа. Соответствующая картина течения жидкой фазы на этих фотографиях не видна. [31]
Наше знакомство с структурой кристаллов было вначале основано в общих чертах на внешней их форме и на оптических данных; однако в течение последних пятнадцати лет эти общие заключения были значительно восполнены методом рентгеновского анализа. Борн дал соответствующую картину кристалла в своей электрической теории кристаллических решеток. С этого момента мы имеем модель, которая указывает нам путь для изучения механизма наблюденных явлений и для предсказания еще неизвестных свойств. [32]
Однажды установив линию масштабирования, можно перемещать линию обзора с целью выбора визуального объекта для вывода на экран. Тогда в окне дисплея появляется соответствующая картина. [33]
Таким образом, если мы знаем распределение электронной плотности ре ( х, у, z) как функцию координат х, у, z в пространстве вокруг ядер некоторой системы, то та же функция дает и распределение плотности электронной энергии РЕ П ( Х, У, 2) только в другом масштабе. Следовательно, достаточно рассмотреть только одну из соответствующих картин. [34]
Характер распределения интенсивностей линий, соответствующий спин-спиновым взаимодействиям в некоторых наиболее распространенных частичных структурах, нетрудно усвоить даже после краткого ознакомления со спектроскопией протонного магнитного резонанса. Ниже перечислены многие часто встречающиеся спиновые системы и соответствующие картины расщепления резонансных сигналов. Взаимодействующие ядра с сильно различающимися химическими сдвигами обозначают буквами, далеко отстоящими друг от друга в латинском алфавите; при этом протоны, сигналы которых расположены в относительно слабом поле, обозначают начальными буквами алфавита, а протоны, сигналы которых сдвинуты в сильное поле, - последними буквами алфавита. По мере уменьшения отношения Ду / / возрастает отклонение реальной интенсивности линий от интенсивностей, рассчитанных с помощью треугольника Паскаля, причем интенсивность крайних линий уменьшается, а интенсивность центральных линий возрастает. [35]
Спектроскопия дает убедительное подтверждение того, что в общем приближение Борна - Оппенгеймера является достаточно хорошим. В инфракрасных спектрах наблюдаются переходы между различными колебательными уровнями основного электронного состояния; соответствующая картина колебательного спектра может быть выражена через волновые функции yvlle и энергии Еп, определенные выше. [36]
При этом очевидно, что предельным положением для лучей, выходящих из вершины угла, будут прямые, параллельные действительной оси, а предельными положениями для дуг окружностей с центром в точке Ап - отрезки прямых, перпендикулярных к действительной оси, заключенные внутри полосы. Мы видим, что картина отображения посредством показательной функции может быть получена из соответствующей картины отображения посредством степенной функции при помощи надлежащего предельного перехода. [37]
Для получения искусственных голограмм не менее важен прибор для записи рассчитанных интерференционных картин. Подобное устройство должно обладать разрешением лучше чем 1000 линия / мм и обеспечивать получение соответствующей картины амплитудной либо фазовой модуляции коэффициента пропускания прозрачного материала. Кроме того, чтобы при наблюдении не было мельканий, желательно, чтобы время стираний изображения, создаваемого прибором, было менее 1 / 30 сек. Приборов, обладающих требуемыми свойствами, в настоящее время нет, и создание их в ближайшее время не предвидится. [38]
Расстояние между контурами равно половине размера ячейки, а - дислокационная сетка в графите: б - соответствующая картина муара. [39]
Это одно из преимуществ ДМЭ, которое может привести к быстрому прогрессу в тех экспериментах, в ходе которых каким-то образом меняется сама поверхность. Примеры ДМЭ-картин для трех типов поверхностей показаны на рис. 3.15; рядом с ними даны схематичные изображения соответствующих картин. Рисунок 3.15 ( а) типичен для большинства низкоиндексных металлических поверхностей тем, что после очистки образца они дают дифракционную картину, которая ожидается для объемной плоскости атомов. Чистые поверхности полупроводниковых материалов отличаются от чистых поверхностей металлов тем, что первые часто демонстрируют дифракционные картины, которые указывают на перестройку поверхностных атомов ( напр. [41]
Расщепление уровней, соответствующих молекулярным орбиталям о - и о - типа, в этом случае будет другим, отличным от расщепления для-связи Те-Те, что отражает другую энергию связи. Электронная структура молекулярной системы, содержащей связи Т1 - Те и Те-Те, показана на рис. 5.4, б; соответствующая картина плотности состояний показана схематически в правой части этого рисунка. [42]
Наличие дефектов упаковки у монокристаллов ZnS, выращенных из расплава, должно оказывать существенное влияние на анизотропию механических свойств по сравнению с кубическими бездефектными кристаллами. Образцы ZnS с довольно высокой концентрацией дефектов упаковки ( - 10 %) проявляют те же свойства, что и гексагональные кристаллы CdS и CdSe: 1) на плоскости ( 111), перпендикулярной С3 и С6, розетки укола имеют такую же форму, как и для всех других кристаллов со структурой W ( см. рис. 4, г); 2) на плоскости скола ( 110) картина дислокационной розетки не отличается от соответствующей картины на CdS ( см. рис. 4, з); 3) на плоскости ( 111), перпендикулярной осям Cg сфалерита и Св вюрцита, отпечатки индектора симметричны, анизотропия микротвердости II рода на этой плоскости отсутствует, величина Нр, составляет 268 5 кГ / мм2 для серии монокристаллов, принадлежащих разным плавкам; 4) на плоскостях ( 111), перпендикулярных только осям С3, отпечатки асимметричны, как для кристаллов ZnS со структурой W; 5) дислокационные розетки на этих гранях похожи не на обычные, получаемые на гранях ( 111) кубических бездефектных кристаллов, а на розетки, получаемые на плоскостях скола ( 110); 6) величина микротвердости плоскостей ( 111), перпендикулярных только осям С3, составляет 164 4 кГ / мм2, что совпадает с Нц боковых граней монокристаллов ZnS со структурой W. Все перечисленные особенности поведения кубических монокристаллов ZnS, содержащих до 10 % дефектов упаковки, свидетельствуют о том, что при такой их концентрации механические свойства анизотропны, как у гексагональных кристаллов. [43]
На рис. 9.5 показана важная особенность бароклинных волн. В северном полушарии Земли поднимающаяся часть каждой линии тока пересекает параллель под острым углом, в то время как опускающаяся - практически под прямым. Соответствующая картина в южном полушарии является зеркальным отражением этого рисунка относительно линии восток - запад. Как впервые указал Старр, такой наклон влечет за собой суммарный перенос момента количества движения к полюсу через параллели, пересекаемые линией тока. Поскольку бароклинные волны возникают на протяжении большого отрезка времени и в широкой полосе долгот, близкой к экватору, их суммарное воздействие порождает вихревой поток импульса к полюсу, который поддерживает струйные течения и преобладающие западные ветры в обоих полушариях. Кинетическая энергия, передаваемая при этом осред-ненному зональному течению на средних широтах, обеспечивается кинетической энергией крупномасштабных вихрей, вызывающих перенос момента количества движения. [44]
Значения медных чисел картонов с увеличением продолжительности старения все время возрастают, причем темп роста в начальных точках старения значительно выше, чем в последующих. Больший рост медных чисел у мягкого картона указывает на более быстрое старение его, что объясняется более интенсивным поглощением продуктов окисления масла. Соответствующую картину мы видим по характеристикам масла: кислотные числа масел, постаренных с мягким картоном, меньше, чем у масел, постаренных с твердым картоном. [45]
Страницы: 1 2 3 4