Общая картина

Cтраница 2

Общая картина, которую являет сегодня военно-технологическое планирование, свидетельствует о его необходимости и огромной ценности во всех областях среднесрочных и долгосрочных разработок. В качестве одного лишь примера можно отметить, что концепция изменяющейся геометрии крыла, лежащая в основе нового американского многоцелевого истребителя F - 111A ( бывшего TFX), является результатом технологического прогнозирования в военно-воздушных силах США. [16]

Фазовая плоскость Л - отображения при Q 10 и у 0 соответствует случаю гамильтоновской перемежаемости. [17]

Общая картина такого движения хорошо видна из рис. 4.7. Фазовая плоскость покрывается, в основном, большими группами точек, число которых порядка 2 о - Каждая группа лежит на кривой (4.71) с некоторым значением константы С. При переходе разности I мп 1 - п I через нуль уравнения (4.70) теряют применимость. Однако далее они снова становятся применимыми, хотя решением их является кривая (4.71), но уже с другой константой С. По существу, именно так можно изображать процзсс гамильтоновской перемежаемости на фазовой плоскости. [18]

Общая картина такова, что при переносе электронов от донора на акцептор фотосистемой I образуется сильный восстановитель, который может восстанавливать NADP до NADPH, и слабый окислитель, который тем не менее способен получать электроны от пластоцианина. Вместе с тем перенос электронов с донора на акцептор фотосистемой II приводит к образованию сильного окислителя ( окисленный донор), который может осуществлять окисление воды и выделение кислорода. Образующийся при этом восстановитель ( восстановленный акцептор), хотя и более слабый, чем в фотосистеме I, достаточно силен для передачи электронов через последовательность компонентов пластохинон - цитохром f - пластоцианин. [19]

Зависимость скорости образования акрилонитрила от числа rf - электронов в катионах различных молибдатов. [20]

Общая картина, наблюдаемая на молибденовых катализаторах, сохраняется и для ванадиевых систем. [21]

Основные вклады в функции расхождения, классифицируемые по минимальному возможному спину обмениваемой системы пп. [22]

Общая картина, даваемая функциями расхождения, очень хорошая. В целом, различные главные обменные механизмы могут быть выделены вполне четко. Представляются важными не только эффекты 2 г-обмена, но также и эффекты Зл - обмена. Триплетные амплитуды имеют большие компоненты векторного мезонного обмена. Мы приводим основные результаты в табл. 3.8. С точки зрения моделей однобозонного обмена, которые используют потенциальное описание ( см. раздел 3.9), мы находим здесь ясное прямое указание на все основные бозоны этих моделей л, о, р, ( о с качественно правильными массами и константами связи. [23]

Изменение коэффициента стеснения L. [24]

Общая картина при трехточечном изгибе весьма похожа, но в этом случае сдвиговые силы возникают поперек надрезанного сечения. На стеснение течения влияет также и ширина ножа, расположенного под надрезом, через распределение сжимающих и сдвиговых напряжений. [25]

Общая картина, которая создалась у нас в процессе исследования кварца, дает основание ожидать эффект насыщения тока. За счет теплового движения в единицу времени образуется некоторое количество ионов. [26]

Общая картина ингибирования радикальных и, в частности, окислительных реакций, очевидно, сложнее, чем это описано выше. [27]

Общая картина окисления та же, что и для насыщенных полиальдегидов, однако механизм разложения может быть другим. [28]

Общая картина уноса на созданных промышленных аппаратах показала, что номограммы, составленные для классификации уноса, оказались полезными для выбора высоты зоны сепарации, исключающей попадание в циклонный продукт крупных частиц. Эффективность сепарации пакетного уноса несколько увеличилась благодаря расширению сепарационной зоны, способствующему релаксации скоростей газового потока; возможно, что с этих позиций более целесообразно не плавное, а достаточно резкое расширение надслоевой зоны, но и этот вопрос также нуждается в дальнейшем исследовании и проверке. [29]

Общая картина формирования и движения магистральной СТ показана на рис. 4.3, в. Возникнув от большого одиночного включения или от ряда близко расположенных включений, трещина может развиваться по одной или нескольким параллельным плоскостям. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5