Полученная картина
Cтраница 3
Полученную картину называют голограммой. [31]
Полученную картину потока можно интерпретировать как обтекание мостовой опоры пли быка, и приведенные в табл. 31 - 1 данные будут характеризовать, следовательно, размеры этого быка. [32]
Полученную картину линий равного потенциала следует дополнить картиной линий напряженности электрического поля. [33]
Хотя полученная картина линии-уровня интуитивно представляется разумной, однако пока на этот счет нет никаких экспериментальных результатов. [34]
Соответствие полученной картины процессам, происходящим в залежи, подтверждается промысловыми данными о полном обводнении скв. [35]
Сопоставление полученных картин с вычисленными с помощью ЭВМ на основе многоволновой динамической теории проводится пока на качественном уровне. [36]
 |
Схема выявления структуры покрытий и сталей методом высокотемпературного скоростного цветного окисления. [37] |
Расшифровка полученной картины представляет некоторые трудности. Пленка окислов появляется на фоне рельефа, который возникает на поверхности образца при его деформации. Исходные границы зерен ( на фото 21 отмечены цифрой 1) выявляются при аустенитизации в вакууме, а при последующей деформации углубляются и расширяются. Деформируются и сами зерна. На их поверхности появляются линии сдвига. Окисная пленка в пределах одного зерна копирует рельеф, а при переходе к другому меняет свою толщину. В результате интерференции световых лучей в пленках при наблюдении такой поверхности в оптическом микроскопе возникает цветная картина. На границах зерен вследствие их большой химической активности, толщина пленки максимальна. [38]
Анализ полученной картины показывает, что транзистор ГТ310Б в рекомендуемом режиме можно использовать на всех частотах, кроме диапазона укв, где его параметры будут значительно хуже. [39]
Анализ полученной картины показывает, что для поля температур, генерируемого при прямом способе нагрева, характерна симметрия эллипсоида, при косвенном нагреве - гиперболоида вращения. Конкретный вид фигур вращения определяется соотношением основных геометрических размеров реакционного объема, температуропроводностью его содержимого, общим разогревом камеры, а ход изотерм вблизи наковален также и интенсивностью потока воды в системе охлаждения. [41]
Толкование полученной картины связано с одной особенностью. [42]
Из полученных картин кристаллизации следует, что в подавляющем большинстве случаев именно электрическая структура поверхности кристаллов-подложек, а ие ее микрогеометрия, определяет процессы зароды-шеобразования и роста. Определяющим фактором при ориентированной кристаллизации является соотношение знака и величины потенциала между электрически различными гладкими участками поверхности кристаллов-подложек, с одной стороны, и между ступенями и гладкими участками поверхности, с другой. Поэтому процессы кристаллизации, как, очевидно, и другие гетерогенные процессы, на ранних стадиях могут происходить в первую очередь или только на ступенях, или на гладких участках поверхности кристаллов-подложек, или ( что маловероятно) одновременно на обоих элементах рельефа поверхности, причем сами эти элементы имеют, как правило, сложное электрическое строение. [43]
По полученным картинам изохром проводят расшифровку путем определения порядкового номера полосы. Они при изменении нагрузки остаются черными. В других случаях сам контур диска совпадает с полосой нулевого порядка, и потому порядки начинают считать от контура, свободного от приложенной силы. [44]
По полученной картине можно легко судить о конфигурации данного электрического поля - о направлении и модуле вектора Е в разных точках поля. [45]
Страницы: 1 2 3 4