Cтраница 2
Изучение дислокационной структуры показало, что в железе с 3 % Si краевые дислокации пробегают значительно большие расстояния, чем винтовые, так как винтовые дислокации более длинные. Винтовые дислокации легко совершают поперечное скольжение. Простая дислокационная картина, видимая при деформации 1 - 2 %, быстро перерождается при дальнейшем увеличении деформации в ячеистую структуру, в которой стенки ячеек содержат сложнопереплетенные скопления дислокаций, плотность которых увеличивается с ростом деформаций. [16]
При охлаждении кристалл сжимается сильнее шарика, и поэтому возникает неоднородное поле напряжений. Возникающая при этом дислокационная картина выявляется путем выдерживания кристалла хлористого серебра на свету. В некоторых случаях образуются геликоидальные дислокации. Пример наблюдаемой конфигурации дислокаций приведен на фиг. [17]
Во-первых, при приготовлении фольги, прозрачной для электронов с энергией 100 кв, происходят значительные неконтролируемые изменения дислокационной структуры вследствие снятия внутренних напряжений и выхода дислокаций на поверхность фольги. Во-вторых, поле зрения электронного микроскопа мало. Поэтому при плотности дислокаций меньше 107 CM-Z видны только отдельные дислокации и особенности структуры в целом не выявляются, а при плотности дислокаций больше 107 см-2 детали дислокационной структуры видны, но расстояния, на которых происходят заметные колебания амплитуды внутренних напряжений, обычно больше, чем диаметр поля зрения микроскопа. Для относительно полного воспроизведения и исследования дислокационной картины, свойственной массивному образцу, необходимо применять фольги толщиной не менее 0 3 мкм. [18]