Дифракционная картина - рассеяние
Cтраница 1
 |
Схема дифракции падающей волны / о на двух центрах рассеяния А и В, расстояние между которыми равно г. [1] |
Дифракционная картина рассеяния обусловлена волновыми свойствами излучения и частиц. [2]
 |
Приготовление образца волокна для рентгеноструктурного анализа. [3] |
На рис. 28.18 и 28.19 приведены типичные дифракционные картины рассеяния в больших углах от различных полимеров. [4]
При таком изучении выяснилось [2], что обычная дифракционная картина рассеяния при больших энергиях не может быть простым образом согласована с представлением Мандельстама. [5]
Исследование структуры соединений и их отдельны) компонентов по дифракционным картинам рассеяния рент геновского излучения на кристаллических решетках i неоднородностях структуры положено в основу рент геноструктурного ( дифракционного) анализа. [6]
Методы, описанные в разделе В, обычно достаточны для интерпретации дифракционных картин рассеяния электронов от полимерных образцов. Ниже рассматриваются некоторые примеры, наглядно иллюстрирующие наиболее существенные результаты в изучении структуры полимеров с использованием методов, основанных на дифракции электронов. [7]
В тех случаях, когда ось волокна ориентирована параллельно падающему пучку электронов, плоскость отражения располагается нормально к плоскости чертежа ( рис. 153) и дифракционная картина рассеяния характеризуется наличием дебаевских колец. Если образец повернуть, плоскость отражения внутри системы колец примет наклонное положение и как следствие этого дифракционные кольца расщепятся на отдельные дуги. [8]
При обсчете дифракционных картин, полученных по методу Дебая - Шеррера ( раздел В-4), уравнение ( VI1 - 3) следует считать вполне пригодным. Однако если исследуется дифракционная картина рассеяния от единичного кристалла, то несомненный интерес представляет изучение расположения рефлексов в зависимости от угла падения первичных лучей. Для расчета такого рода дифракционных картин используется метод Лауэ. [9]
Сильное рассеяние электронов, наблюдаемое при их прохождении через вещество, вызывает появление рефлексов в 108 - 108 раз большей интенсивности, чем при рассеянии рентгеновских лучей при одинаковых условиях. Интенсивность рефлексов настолько велика даже для очень тонких слоев, что можно наблюдать дифракционную картину рассеяния непосредственно на флуоресцирующем экране. Поэтому для получения фотографического изображения дифракционной картины время экспозиции составляет всего несколько секунд, в то время как для получения рентгенограммы необходима экспозиция в несколько часов. Еще одним преимуществом высокой рассеивающей способности в случае электронного пучка является возможность использования малых количеств вещества для получения электронограмм. Так, при благоприятных условиях съемки требуется всего около 10 - 8 г вещества. Однако, с другой стороны, именно это свойство ограничивает область использования методов, основанных на дифракции электронов. Увеличение толщины образца вызывает настолько сильное поглощение электронов, что в этом случае уже не удается наблюдать дифракционной картины рассеивания. [10]
Если тип кристаллической решетки не известен, то электронограмма единичного кристалла может быть использована для определения параметров элементарной ячейки. Однако для этого необходим специальный держатель для образца, позволяющий поворачивать и наклонять образец на достаточно большие углы. Если иметь дифракционные картины рассеяния с использованием различных углов падения электронов на образец, то можно получить ряд различных сечений через обратную решетку. [11]
Водные растворы электролитов обладают целым рядом особых, уникальных свойств, выделяющих их из общего ряда жидких растворов. Основной причиной этого служит проявление структуры воды в специфике взаимодействия ион-вода. Гидратация ионов может быть охарактеризована так называемыми эффектами гидратации. Их количественной мерой являются термодинамические характеристики, изотопные эффекты гидратации, химические сдвиги ЯМР, смещение полос поглощения в ИК-спектрах, изменение частот спин-решеточной релаксации, изменение дифракционных картин рассеяния рентгеновских лучей и неупругого рассеяния нейтронов и др. При интерпретации указанных проявлений гидратации все большее место занимают структурные представления, поскольку они позволяют глубже оценить роль среды в ионных реакциях в растворах. [12]
При детектировании светового потока от достаточно малого рассеивающего объема дело, обстоит совершенно иначе. Макромолекулы же в растворе расположены совершенно хаотически. В результате дифракционная картина рассеяния монохроматического света таким объектом состоит из многих беспорядочно расположенных максимумов и минимумов всевозможных размеров и интенсивности. Кроме того, макромолекулы в растворе свободны и диффундируют, участвуя в броуновском движении. Вследствие этого обусловленная ими дифракционная картина флуктуирует во времени. [13]
Величина F - называется структурным фактором. Этот параметр определяет расположение рассеивающих атомов внутри элементарной ячейки кристаллической решетки. Интерференция рассеянных волн, обусловленная дифракцией электронов на отдельных атомах ячейки, может вызывать появление определенных рефлексов постепенно уменьшающейся интенсивности; в некоторых случаях наблюдается полное гашение рассеянных лучей и исчезновение рефлексов. Сопоставляя величины F - для различных рефлексов, можно получить достаточно полную информацию об элементарной ячейке. Кроме того, понятие структурного фактора включает в себя влияние температуры на характер дифракционной картины рассеяния электронов. Для оценки этого влияния необходимо рассчитать уменьшение интенсивности рефлексов, обусловленное отклонением центров рассеяния от их равновесных положений. [14]
Страницы: 1