Физическая картина - процесс
Cтраница 3
А между тем физическая картина процессов, протекающих в полупроводниках, необходима для решения ряда физических и технических вопросов, поскольку строгая теория не дает пока количественных результатов. [31]
Таким образом, физическая картина процесса с расслоенным режимом допускает построение другой модели седиментации, а. Следует подчеркнуть, что для ламинарного потока на всю глубину и расслоенного потока с малоподвижной зоной приведенные выше выводы справедливы, поскольку эти потоки не имеют периферийной зоны с описанными свойствами. [32]
А между тем физическая картина процессов, протекающих в полупроводниках, необходима для решения ряда физических и технических вопросов, поскольку строгая теория не дает пока количественных результатов. [33]
Как только возникла качественно правильная физическая картина процесса плавления, сразу же появились и математические модели процесса плавления. Это позволило приступить к созданию математической модели всего процесса экструзии, и эта задача была немедленно выполнена. Такая модель была создана в 1966 г. в СССР в наших работах и за рубежом в работе Маршалла, Клейна, Тадмора. В настоящее время процесс экструзии поддается довольно точному количественному описанию. Все основные параметры процесса могут быть рассчитаны, если известны физические характеристики полимера и температурный режим, заданный для нагревателей корпуса. Разумеется, и здесь существует большой простор для дальнейших исследований, так как ряд проблем получил решение только в самом первом приближении. Это касается прежде всего методов анализа причины пульсаций температуры и давления, всегда наблюдающихся при экструзии полимеров. Дальнейшего развития ждут задачи анализа связи между режимом экструзии и свойствами изделий, потому что, несмотря на существование вполне достаточных предпосылок для решения этой проблемы, она еще практически не реализована. [34]
 |
График зависимости входного сопротивления бикони-ческой антенны от относительной длины при разных волновых характеристиках. а активная составляющая, б реактивная составляющая. [35] |
Теория Щелкунова дает более ясную физическую картину процессов, происходящих возле излучающих антенн и позволяет глубже проникнуть в тонкие детали этой картины. [36]
Формула (1.11) соответствует следующей физической картине процесса. Через равные промежутки времени тож 1 / / ст на поверхности кристалла возникает двумерный зародыш критических размеров, который с очень большой скоростью разрастается в тангенциальном направлении, покрывая всю перемещающуюся грань. Существенно, что этот зародыш появляется скачком и подобные акты при данной температуре разделены одинаковыми промежутками времени тож. Таким образом, грань кристалла перемещается скачками длиной а, разделенными во времени промежутками тож. Весь процесс осуществляется замкнутыми циклами, причем после каждого из них система полностью возвращается в исходное состояние. [37]
Как только была установлена качественно правильная физическая картина процесса плавления, сразу были созданы и его математические модели. Появление этих моделей позволило приступить к построению математической модели всего процесса экструзии, и эта задача была выполнена. [38]
В дальнейшем для выяснения физической картины процессов, происходящих в линиях при различных условиях и режимах работы, будем пользоваться той парой выражений, которую удобно применить в данном случае. [39]
Проведенный анализ подтверждает описанную выше физическую картину процесса зародышеобразования в стесненных условиях. Так, из рис. 2 видно, что график зависимости безразмерного критического перегрева кидкости ( или пропорциональной ему величины относительной работы образования жизнеспособного парового объема) от пористости имеет характерный изгиб. [40]
Для того чтобы получить замкнутую физическую картину процесса свечения, необходимо оценить параметры процессов, определяющих свечение, и сравнить их с наблюдаемыми параметрами. [41]
Такое представление полностью соответствует физической картине процессов, а также временным диаграммам и эквивалентным схемам ФД. [42]
Указанное представление приводит к искаженной физической картине процесса. [43]
Остановимся несколько подробнее на физической картине процессов рассеяния электронов в кристалле и выявим те существенные различия протекания этих процессов в металлах и полупроводниках, которые влияют на время релаксации и, следовательно, на подвижность. Условия рассея-ния электронов в кристалле определяются их волновыми свойствами. [44]
 |
Расчет R по хроматограмме. [45] |
Страницы: 1 2 3 4