Входной выходной каскад - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Опыт - это нечто, чего у вас нет до тех пор, пока оно не станет ненужным. Законы Мерфи (еще...)

Входной выходной каскад

Cтраница 2


Напряжение на емкости Сг управляет напряжением Е3 источника, причем эти напряжения могут быть приняты одинаковыми. Такая эквивалентная схема позволяет полностью развязать входные и выходные каскады устройства.  [16]

К промежуточным относятся все каскады, расположенные между входными, обеспечивающими связь с источникам исследуемого сигнала, и выходными каскадами, соединенными непосредственно с нагрузкой - отклоняющей системой ЭЛТ. По условиям работы они существенно отличаются от входных и выходных каскадов: источником сигнала служит относительно низкоомный выход предшествующего каскада, а нагрузкой - тоже низкоомный вход последующего. В отличие от выходных к промежуточным каскадам, как правило, не предъявляются особые требования по выходному напряжению, току и мощности, что позволяет применять маломощные высокочастотные транзисторы и сравнительно легко обеспечивать время нарастания, значительно меньшее, чем в выходных каскадах.  [17]

С целью повышения быстродействия микропроцессоров иногда используются комбинированные цепи питания. Токовые выводы питания обеспечивают необходимый режим работы внутренних логических блоков БИС, а потенциальные выводы питания позволяют организовать быстродействующие входные и выходные каскады.  [18]

Параметры схемы: полоса пропускания - от Ш до 20 гц, коэффициент усшкняя - от 2 до 3, добротность - от 150 до 200t, неискаженное напряжение на выходе - не более 2 в. Усклятелъ можно использовать в качестве промежуточного, а это означает, что прежде, чем применить его в схеме какого-либо пря-бора, необходимо ввести входные и выходные каскады с дополнительным усилением. Высокая избирательность усиления обеспечена применением двойного Т - образного моста.  [19]

Полузаказные логические БИС создают на основе базовых матричных кристаллов ( БМК) или библиотек схемно-топологических фрагментов. В центральной части БМК размещается матрица ( набор) ЛЭ ( вентилей), которая не обязательно должна быть строго однородной, а по периферии кристалла - вспомогательные элементы, из которых могут быть созданы входные и выходные каскады, обеспечивающие согласование входных и выходных характеристик логической БИС с другими микросхемами. Все технологические операции по формированию БМК выполняются заблаговременно до появления заказа на окончательное изготовление конкретной БИС, и БМК хранятся на складе изготовителя микросхем. Заказ на производство специализированных БИС поступает к изготовителю в форме описания выполняемых ею функций либо в форме описания соединений элементов. Изготовитель, используя САПР, проектирует и изготовляет шаблоны для формирования необходимых соединений, а затем выпускает и сами специализированные БИС. Главное достоинство этого метода - малое время, требуемое для производства полузаказных БИС.  [20]

21 Схематическое изображение трехволноводного десятилучевого. [21]

Когда напряжение достигнет заданной величины, его дальнейший рост необходимо ограничить. Однако в этом случае, хотя роста напряжения и не будет, мощность, отдаваемая электронными пучками в последующих ячейками, будет нарастать, а условия для дальнейшей группировки пучка во втором пространстве дрейфа не будут оптимальными, так как взаимодействие в промежуточном модулирующем каскаде должно быть реактивным. Вышеописанная ситуация полностью аналогична каскадной группировке в многорезонаторных клистронах, где реактивное взаимодействие в промежуточных каскадах обеспечивается настройкой резонаторов на более высокую частоту, чем частота входного и выходного каскада.  [22]



Страницы:      1    2