Cтраница 4
Реальный образец отличается от идеального наличием сверхравновесного количества дефектов, примесей, создающих в запрещенной зоне локальные электронные уровни, макроискажений решетки в виде разрывов и трещин, приводящих к блочной структуре реального твердого тела. В общем случае все эти факторы ведут к появлению значительно большего числа свободных валентностей на поверхности катализатора по сравнению с таковыми в идеальном кристалле. Таким образом, активность реального катализатора должна быть выше идеального. [47]
Но, несмотря на недостаточную экспериментальную обоснованность электронных концепций IB катализе, усилия по их разработке нужно считать полезными. Правда, развитие теоретического аппарата применительно к системе ( кристалл - электрон - молекула, см. доклады Ф. Ф. Волькенштейяа с сотрудниками) более пригодно для адсорбции, чем для катализа - для этого нужно перейти к более сложной системе: кристалл - активный центр - электрон - молекула. Но этот переход к реальным катализаторам уже подготовлен проделанной работой. [48]
Общим итогом применения электронных представлений в гетерогенном катализе является вывод, что каталитическая активность прямо связана с числом - свободных валентностей на поверхности катализатора. Однако следует помнить, что все теоретические представления катализа на полупроводниках в основном касаются идеального кристаллического состояния с использованием зонной теории твердого тела, которая построена в одноэлектронном приближении. Поэтому производить количественную обработку результатов, полученных на реальных катализаторах, с помощью рассмотренных выводов и формул невозможно. Тем не менее применение, рассмотренного подхода позволяет сделать интересные качественные обобщения. [49]
Общим итогом применения электронных представлений в гетерогенном катализе является вывод, что каталитическая активность прямо связана с числом свободных валентностей на поверхности катализатора. Однако следует помнить, что все теоретические представления катализа на полупроводниках в основном касаются идеального кристаллического состояния с использованием зонной теории твердого тела, которая построена в одноэлектронном приближении. Поэтому производить количественную обработку результатов, полученных на реальных катализаторах, с помощью рассмотренных выводов и формул невозможно. Тем не менее применение рассмотренного подхода позволяет сделать интересные качественные обобщения. [50]