Фиктивный катод
Cтраница 3
На этом рисунке вертикальными линиями показаны изменения тока в момент образования фиктивного катода, а плавными кривыми - изменения тока после этого. Пунктирная же линия соответствует равенству входящего и выходящего токов, когда нет фиктивного катода. [31]
Объемный заряд заторможенных электронов между сетками Сг и Сз является фиктивным катодом для пентодной части геп-тода. На сетку С3 подается напряжение с частотой f, При работе лампы ток эмиссии фиктивного катода пульсирует с частотой / 2, что предопределяет его влияние на смеситель. [32]
Фиктивный катод является особой поверхностью для движения электронов. Однако такое равновесие не является устойчивым, так как смещение электронов в сторону от фиктивного катода вызывает появление силы со стороны электрического поля, удаляющей их от этой поверхности. Поэтому нормальное токопрохождение нарушается, и в поверхности нулевого потенциала дополнительно возникает ток в направлении, обратном нормальному. [33]
Объемный за-рпд заторможенных электронов между сетками С2 и С3 является фиктивным катодом для пентодной части геп-тода. На сетку С3 подается напряжение с частотой fi, При работе лампы ток эмиссии фиктивного катода пульсирует с частотой / 2, что предопределяет его влияние на смеситель. [34]
В режиме возврата электронов ( область / /, рис. 8 - 3, а) небольшие изменения анодного напряжения приводят к резкому перераспределению катодного тока между анодом и экранирующей сеткой. Сильное влияние анодного напряжения на анодный ток в этом режиме можно объяснить воздействием анода на фиктивный катод, который образуется заторможенными электронами в промежутке между анодом и экранирующей сеткой. [35]
Катодная сетка ускоряет эмиттированные электроны в направлении мелкоструктурной управляющей сетки, имеющей отрицательный потенциал. Попадая в промежутке между катодной и управляющей сетками в тормозящее поле, электроны затормаживаются и образуют пространственный заряд ( фиктивный катод) в непосредственной близости от управляющей сетки. Это эквивалентно уменьшению расстояния между катодом и сеткой, что и приводит к увеличению крутизны. [36]
Величине Ua Ua min соответствует ток / дтах, значение которого находится из расчета режима. Выбор расстояний xg3 - х г и ха - - xg9 должен быть сделан так, чтобы не возникал фиктивный катод. [37]
Для недуговых стадий газового разряда существует несколько различных критериев пробоя, на основе которых рассчитывается пробивное напряжение. При расчетах восстанавливающейся прочности ионных приборов исходят из условия нарушения равновесия в схеме нормального то копрохождения лампы и появления так называемого фиктивного катода. Это условие выводится на основе решения одномерного уравнения Пуассона при граничных условиях, характерных для ионных приборов. Имеются попытки построить теорию пробоя вакуумных промежутков на основе механизма образования проводящего канала под воздействием бомбардировки анода пучками электронов, вырванных сильным полем, образованным на микроостриях на катоде. При достаточно сильном поле и интенсивном потоке электронов анод разогревается, на его поверхности наблюдаются локальные взрывы металла, пары которого ионизируются. В результате развития проводящего канала наступает дуговой разряд. [38]
Теоретически в лампе с катодной сеткой при однородном прямолинейном движении электронов с одинаковыми скоростями, когда фиктивный катод образовывал бы плоскость, параллельную управляющей сетке, можно было бы получить очень большие значения крутизны. Однако на практике разброс начальных скоростей электронов и неоднородности поля, вызываемые влиянием конечных значений шага и диаметра витков сеток, приводят к отклонению формы фиктивного катода от плоскости. Последнее и определяет максимально достижимое на практике значение крутизны. [39]
При этом способе анод и настоящий катод отделены друг от друга непроводящим барьером, в котором сделано маленькое отверстие. Непроводящий барьер представляет собой стеклянную трубку, заканчивающуюся маленьким острием диаметром 1 мк. При помощи такого фиктивного катода можно производить тончайшую обработку - Основное преимущество метода фиктивного катода в том, что катодная реакция ( обычно выделение водорода) не препятствует процессу локализации и наблюдению за ним. [40]
Увеличение анодного тока резко прекращается, когда напряжение на аноде возрастает до величины, при которой все электроны, пролетевшие через экранирующую сетку, попадают на анод. Дальнейшее увеличение анодного напряжения почти не увеличивает анодный ток, так как вторая сетка экранирует анод и препятствует, таким образом, воздействию анодного напряжения на ток катода. При этом значении напряжения на аноде фиктивный катод исчезает, как показано линией б на рис. 2 - 40, а. Пространственный заряд между фиктивным катодом и анодом возрастает с ростом анодного тока. Когда же рост анодного тока с ростом анодного напряжения прекращается, пространственный заряд начинает уменьшаться за счет увеличивающихся скоростей электронов. Уменьшающийся пространственный заряд оказывает меньшее тормозящее действие на электроны между экранирующей сеткой и анодом, что в свою очередь уменьшает пространственный заряд. Это регенеративное состояние изменяет градиент потенциала, смещая его с линии б на, линию, как показано на рис. 2 - 40, а. При этом пространственный заряд еще остается достаточным, чтобы вернуть все вторичные электроны, эмиттируемые анодом, обратно ча анод. Дальнейшее увеличение анодного напряжения уже почти не оказывает влияния на анодный ток. Резкий излом характеристик является результатом быстрого перехода от одного состояния к другому. [42]
 |
Характеристики лампы 6Ж22П. о - анодно-сеточные. б - зависимости токов от напряжения на катодной сетке. в - анодные.| Устройство лампы 6В2П со вторичной эмиссией. [43] |
В этих лампах для повышения крутизны и уменьшения входной емкости между катодом и управляющей сеткой помещают еще одну катодную сетку, на которую подают небольшое, около 10 В, напряжение. Распределение потенциала в лампе таково, что область нулевого потенциала ( фиктивный катод) располагается на очень малом расстоянии от управляющей сетки. Благодаря этому эффективность управления объемным зарядом весьма велика и крутизна лампы достигает 50 мА / В. Катодная сетка располагается достаточно далеко от катода, поэтому входная емкость лампы меньше, чем в обычном пентоде, в 2 - 3 раза. [44]
При этом способе анод и настоящий катод отделены друг от друга непроводящим барьером, в котором сделано маленькое отверстие. Непроводящий барьер представляет собой стеклянную трубку, заканчивающуюся маленьким острием диаметром 1 мк. При помощи такого фиктивного катода можно производить тончайшую обработку - Основное преимущество метода фиктивного катода в том, что катодная реакция ( обычно выделение водорода) не препятствует процессу локализации и наблюдению за ним. [45]
Страницы: 1 2 3 4