Кислородно-цезиевый катод
Cтраница 2
 |
Кривая утомляемости вакуумного кисло-родно-цезиевого фотоэлемента. [16] |
Более слабое утомление кислородно-цезиевого катода вызывает красный свет. Эффект утомления увеличивается с понижением температуры катода и увеличением анодного напряжения. [17]
 |
Кривые утомляемости вакуумных сурьмяно-цезиевых фотоэлементов. [18] |
Явление утомления у кислородно-цезиевого катода носит частично обратимый характер, особенно, когда в промежуточном слое почти полностью восстановлена окись серебра. Чувствительность утомленного катода может быть восстановлена повышением температуры катода. [19]
Вакуумный фотоэлемент с кислородно-цезиевым катодом, как видно из рис. 4.5 ( кривая 2), имеет два селективных максимума: один лежит в инфракрасной ( длинноволновой), другой - в, ультрафиолетовой ( коротковолновой) области спектра. Вакуумный фотоэлемент с сурьмяно-цезиевым катодом имеет спектральную характеристику 3, селективный максимум которой лежит вблизи границы между видимой и ультрафиолетовой частями спектра. Спектральная характеристика 4 относится к одному из типов фотосопротивлений - сернисто-кадмиевому. [21]
Несоответствие между отношением квантового выхода сурь-мяно-цезиевых и кислородно-цезиевых катодов ( 25 / 2) и отношением их чувствительностей ( 120 / 50) объясняется тем, что при измерении интегральной чувствительности фотоэлементов источником света служит стандартная лампа накаливания с температурой нити 2850 К, имеющая максимум излучения в той же инфракрасной области, где лежит и максимум спектральной чувствительности кислородно-цезиевых катодов. [22]
В некоторых областях техники с кислородно-цезиевыми катодами успешно конкурируют сурьмяно-цезиевые катоды. Способ их изготовления следующий. На стенку колбы наносится слой сурьмы испарением с вольфрамовой нити, нагреваемой током. [23]
 |
Фотоэлемент с внешним фотоэффектом ( а. схема его включения ( б. структурная схема кислородно-цезиевого катода ( в. тоже сурьмя. [24] |
Ионные фотоэлементы изготовляются преимущественно с кислородно-цезиевым катодом. [25]
Большинство современных фотоэлементов имеет сурьмяно-це-зиевые или кислородно-цезиевые катоды, обладающие высокой фоточувствительностью. [26]
Большинство современных фотоэлементов имеет сурьмяно-цезиевые или кислородно-цезиевые катоды, обладающие высокой фоточувствительностью. [27]
На рис. 13 дана схема строения кислородно-цезиевого катода, нанесенного на серебряную подкладку. Промежуточный слой состоит из окиси цезия, восстановленных мелкодисперсных частиц серебра и внутренне адсорбированных атомов цезия. В случае неполного восстановления окисла серебра цезием промежуточный слой содержит также окись серебра. [28]
Аномальные вольтамперные характеристики получаются также для кислородно-цезиевых катодов с толстым промежуточным слоем ( 1000 молекулярных слоев), поперечное сопротивление которых велико. Таким образом, при использовании в фотоумножителях сложных катодов следует учитывать наличие условий, при которых могут наблюдаться вышеописанные явления. [29]
Предполагалось, что большая вторичная эмиссия сложных кислородно-цезиевых катодов [491-493, 496, 527-532, 567-570] так же, как и фотоэффект, обусловливается низким потенциалом ионизации адсорбированных в поверхностной пленке атомов цезия. При утомлении кислородно-цезиевых катодов путем их интенсивного освещения, а также при изменении толщины поверхностей пленки цезия путем дополнительного прогрева всего прибора ход изменения коэффициента вторичной эмиссии далеко не соответствует ходу изменения фототока. Максимумы обеих кривых не совпадают. Точно так же не совпадают изменения вторичной эмиссии и фототока и при изменении структуры промежуточного слоя сложного катода. При этом надо учитывать, что вторичные электроны вылетают не с самой поверхности сложного катода, а с некоторой глубины и что основной причиной, тормозящей их движение, является взаимодействие их с электронами полосы проводимости. Таким образом, влияние факторов, приводящих к увеличению числа этих электронов, должно отзываться на вторичной эмиссии более сложным образом, чем при термоэлектронной эмиссии. Возрастание числа электронов проводимости сверх некоторого оптимального значения должно уменьшать вторичную эмиссию из примесных полупроводников. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5