Средняя длина - свободный пробег - носитель - заряд
Cтраница 1
Средняя длина свободного пробега носителей заряда должна уменьшаться дри плавлении ( или переходе в аморфное состояние) по двум причинам. Во-первых, как уже показал Мотт [ 701, средняя длина свободного пробега I д, обусловленная рассеянием на фононах, уменьшается. [1]
Средняя длина свободного пробега носителей заряда должна уменьшаться при плавлении ( или переходе в аморфное состояние) по двум причинам. Во-первых, как уже показал Мотт [70], средняя длина свободного пробега lph, обусловленная рассеянием на фононах, уменьшается. [2]
 |
Электрические и оптические параметры диэлектрических пленок, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. [3] |
Полагают, что средняя длина свободного пробега носителей заряда и свойства поверхностных состояний не влияют на диэлектрические параметры пленок. Установлено, что по электрической прочности тонкие пленки оксидов не уступают массивным образцам. Если реализуется лавинный механизм пробоя, то можно ожидать, что напряженность поля, вызывающего пробой, будет увеличиваться при уменьшении толщины пленки, когда толщина пленки не превосходит средней длины свободного пробега электронов, образующих ток пробоя. Для большинства материалов этот эффект наблюдается при толщине пленки менее 2 нм. [4]
В этом случае средняя длина свободного пробега носителя заряда превышает постоянную решетки. Свободные электроны не локализованы на одной молекуле. При таких подвижностях длина волны электрона захватывает несколько соседних молекул, образующих кристалл. Целый ряд процессов приводит к локализации носителей заряда в определенных местах решетки, а процесс переноса носителей заряда лучше описывается с помощью прыжкового или туннельного механизма проводимости. [5]
 |
Влияние температуры на вольт-амперную характеристику германиевого диода.| Влияние температуры на. [6] |
Это происходит из-за сокращения средней длины свободного пробега носителей заряда в р - / г-переходе, что затрудняет возникновение ударной ионизации. [7]
Это происходит из-за сокращения средней длины свободного пробега носителей заряда в р-п переходе, что приводит, к уменьшению кинетической энергии, приобретаемой неосновными носителями в электрическом поле перехода при том же обратном напряжении, и затрудняет лавинное размножение носителей. [8]
Это происходит из-за сокращения средней длины свободного пробега носителей заряда в р-п переходе, что приводит к уменьшению кинетической энергии, приобретаемой неосновными носителями в электрическом поле перехода при том же обратном напряжении, и затрудняет лавинное размножение носителей. [9]
Когда толщина полупроводникового слоя ( или размер кристаллита) становится сравнимой со средней длиной свободного пробега носителей заряда в пленке, рассеяние носителей на ее поверхности приводит к снижению подвижности. Например, если подвижность носителей заряда в массивном материале составляет 10Э см2 / ( В-с) и эффективная масса 0 lw0, то среднее время между столкновениями приблизительно равно 5 - 10 - 14 с, а средняя длина свободного пробега 15 нм. Эта цифра указывает на порядок толщины пленки, при которой становится важным учет эффектов рассеяния. Для пленок, толщина которых превышает 100 нм, эти эффекты обычно незначительны. [10]
 |
Вольтамперная характеристика стабилитрона. [11] |
Нужно заметить, что для развития лавинного пробоя наряду с высокой напряженностью поля ( - 106 в / см) необходима достаточная ширина перехода, сравнимая со средней длиной свободного пробега носителя заряда. [12]
Геометрическое подобие (3.1) предполагает, что средние длины свободного пробега I носителей зарядов и нейтральных частиц описываются одним и тем же коэффициентом подобия К. [13]
 |
Зависимость ТКН. [14] |
У сравнительно высоковольтных стабилитронов с лавинным механизмом пробоя ТКН положителен. Для лавинного механизма пробоя основной причиной температурной зависимости пробивного напряжения является изменение средней длины свободного пробега носителей заряда. С увеличением температуры растет количество столкновений носителей заряда с атомами решетки и средняя длина свободного пробега падает. Это означает, что для приобретения энергии, достаточной для ударной ионизации при повышенной температуре, электрон должен двигаться в более сильном электрическом поле. Следовательно, пробивное напряжение при увеличении температуры должно увеличиваться. Из рис. 5.5 видно, что у низковольтных стабилитронов при напряжении UCT около 5 в и ниже ТКН отрицателен. Это значит, что напряжение пробоя уменьшается с ростом температуры. Такая зависимость характерна для переходов с туннельным пробоем. Вероятность туннельного перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости очень сильно зависит от ширины запрещенной зоны ( см. гл. [15]
Страницы: 1 2