Cтраница 3
Анализ влияния различных факторов на форму вольтамперной характеристики показывает, что ее можно изменять в весьма широких пределах. Подобные ТС широко используются в качестве стабилизаторов напряжения. [31]
![]() |
Схемы трансформаторов с плавным регулированием напряжения. [32] |
В частности трехфазный тран сформатор выполняется в виде агре гата, состоящего из трех однофазны. Такие трансформаторы час то используют в качестве стабилизаторов напряжения сети, для чего их снабжают соответствующей аппаратурой автоматики. [33]
![]() |
Принципиальная конструктивная схема одной фазы симметричного АТРМК ( а и его вид сверху ( б. [34] |
Среди современных бесконтактных плавно регулируемых трансформаторов наряду с преобладающим развитием систем коммутации силовых обмоток мощными полупроводниковыми приборами в производственных конструкциях значительное место занимают плавно регулируемые трансформаторы с подмагничиванием благодаря более высокой надежности, относительно меньшей себестоимости и трудоемкости. Однако большая материалоемкость и худшие энергетические показатели подмагничиваемых трансформаторов ограничивают перспективы их применения и развития. В го же время реальная конкурентоспособность подмагничиваемых трансформаторов при использовании их в качестве стабилизаторов напряжения остается достаточно высокой. [35]
Стабилитрон - газонаполненный диод с холодным катодом. На рис. 154 представлена вольтамперная характеристика стабилитрона. Наличие большого участка изменения тока при почти постоянном анодном напряжении позволяет использовать указанный тип ламп в качестве стабилизатора напряжения. [36]
Работа ламп от больших вторичных батарей, которые перед измерениями предварительно выдерживаются под нагрузкой. При этом не может быть достигнута полная стабилизация, однако колебания могут быть снижены по крайней мере до величины второго порядка малости. В качестве стабилизаторов напряжения иногда применяют барреторы, представляющие собой железную нить накала, помещенную в баллон, наполненный водородом. Такое термическое устройство является инерционным. Сопротивление такого устройства приблизительно пропорционально напряжению на его зажимах в пределах определенного диапазона, так что ток поддерживается практически постоянным. Используются два одинаковых фотоэлемента, включенных в мостовую схему. Свет от общего источника разделяется оптически на два луча, один из которых будет беспрепятственно проходить к одному фотоэлементу. Другой луч, направляемый на второй фотоэлемент, модулируется измеряемой величиной. [37]
В прямом направлении вольт-амперная характеристика стабилитрона практически не отличается от прямой ветви любого кремниевого диода. Обратная ветвь ее имеет вид прямой вертикальной линии, проходящей почти параллельно оси токов. Поэтому при изменении в широких пределах тока через прибор падение напряжения на нем практически не изменяется. Это свойство кремниевых диодов и позволяет использовать их в качестве стабилизаторов напряжения. [38]
Если приложить к диоду напряжение обратной полярности ( минус к области с дырочной проводимостью, плюс к области с электронной проводимостью), то собственное поле п-р-перехода и поле внешнего источника складываются. Это приводит к некоторому увеличению обратного тока, обусловленного неосновными носителями. По мере увеличения обратного напряжения ток внезапно резко возрастает - происходит электрический пробой п - - перехода. При этом неосновные носители ускоряются электрическим полем п-р-перехода настолько, что их энергия оказывается достаточной для ударной ионизации атомов полупроводника: появляются новые носители заряда, которые в свою очередь ускоряются и вызывают возникновение лавины электронов и дырок. Это позволяет использовать полупроводниковые диоды в режиме пробоя в качестве стабилизаторов напряжения - стабилитронов. Стабилитроны выполняются из кремния и могут стабилизировать напряжение в пределах единиц - сотен вольт. [39]
Нелинейные сопротивления, приготовленные из гранулированного карбида кремния, широко используются в качестве грозоразрядников и различных предохранителей от перенапряжений. При малых приложенных к ним напряжениях они обладают высоким сопротивлением, поэтому их можно подключить параллельно блокируемому элементу или схеме. Когда в цепи возникает волна перенапряжения, сопротивление полупроводникового прибора резко падает и в результате этого защищаемый объект оказывается сильно зашунтированным. Нелинейные сопротивления этого типа часто называют варисторами. Свойства карбида кремния, используемого для изготовления предохранителей от перенапряжения, описали Эшворт, Нидхейм и Силларс [84], которые рассмотрели также теорию наблюдаемых эффектов, учитывающую характеристики межкристаллических барьеров. Большинство нелинейных эффектов, имеющих место в таких варисторах, а также в синтезированных оксидных полупроводниках, обусловлены контактными явлениями, однако детали механизма этих эффектов еще далеко не ясны. Нелинейные сопротивления находят также довольно широкое применение и при решении различных схемных задач, например они используются в качестве стабилизаторов напряжения или тока. [40]