Качество - стабилизация
Cтраница 2
Помимо параметров, характеризующих качество стабилизации, стабилизаторы оцениваются по энергетическим показателям. [16]
 |
Схема электронного стабилизатора с. неоБмм. е причны-м дифференциальным усилителем. [17] |
Основными параметрами, характеризующими качество стабилизации, являются коэффициент стабилизации по входному напряжению и внутреннее сопротивление. [18]
Помимо параметров, характеризующих качество стабилизации, стабилизаторы постоянного напряжения оцениваются по энергетическим показателям. [19]
Помимо параметров, характеризующих качество стабилизации, стабилизаторы оцениваются по энергетическим ( КПД) и массо-габаритным показателям. [20]
В недрение системы автоматизации улучшило качество стабилизации основных параметров, свело к минимуму обязанности оператора по ведению процесса и предоставило ему возможность оперативного управления и более точной настройки процесса на заданный режим. [21]
 |
Зависимость пробивного напряжения кремниевых плоскостных электронно-дырочных переходов от удельного сопротивления исходного кремния. [22] |
Таким образом, определяющим элементом качества стабилизации является динамическое сопротивление. [23]
 |
Стабилизаторы постоянного тока. [24] |
Влияние колебаний температуры окружающей среды на качество стабилизации обычно уменьшают путем термокомпенсации. Для этих целей последовательно со стабилизирующим стабилитроном ( Д на рис. 43, г) включают дополнительные стабилитроны ( Д2 и Дз) в прямом направлении. При необходимости обеспечения большого диапазона стабилизации и значительной мощности в нагрузке используют схемы компенсационных стабилизаторов с усилительными элементами. [25]
 |
Конструкции полевых транзисторов с управляющим переходом.| Конструкции МДП транзисторов. [26] |
Сильное влияние на свойства МДП транзисторов оказывает качество стабилизации поверхности полупроводника, поскольку именно на ней располагается активная часть структуры этих приборов. Трудности тщательного контролирования поверхностных свойств полупроводника обусловливают больший разброс и худшую стабильность характеристик МДП транзисторов по сравнению с полевыми транзисторами, у которых в роли затвора используется р-п переход. Обычно МДП транзисторам присуща более сильная температурная зависимость тока стока, значительно больший уровень собственных румов, в особенности составляющей 1 / Д которая преобладает вплоть до частот в единицы мегагерц. Кроме того, у МДП транзисторов, в особенности с индуцированным каналом, часто наблюдается пониженная стабильность параметров во времени. [27]
 |
Дифференциальный усилитель на лампах.| Дифференциальный транзисторный усилитель. [28] |
В конечном счете стабилизация каскодной схемы определяется качеством стабилизации нижнего транзистора. [29]
 |
АСР как скорректированный объект регулирования. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5