Применяемая длина - волна
Cтраница 2
Дифракционное рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами характерно для ультрамикрогетерогенных систем с частицами аморфной структуры. Природа этого явления аналогична дифракции видимого света малыми экранами и отверстиями, теория которой подробно рассматривается в следующем разделе, посвященном рассеянию света. Отличия состоят не только в размерах частиц и применяемых длин волн, а главное - в соотношениях между ними. Данный метод применим, если размеры определяемых частиц сравнимы или больше длин рентгеновских лучей. В связи с этим максимум рассеяния приходится на направление, совпадающее с направлением падающих лучей. [16]
Дифракционное рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами характерно для ультра. Природа этого явления аналогична дифракции видимого света малыми экранами и отверстиями, теория которой рассматривалась в начале этоп раздела. Отличия состоят не только в размерах частиц и применяемых длин волн, а главное, в условиях, при которых проявляется дифракционное рас сеяние. Данный метод применим, если размеры определяемых частиц сравнимы или больше длин рентгеновских лучей. В связи с этим максимум рассеяния приходится на направление, совпадающее с направлением падающих лучей. [17]
Объяснение этого явления точно не установлено. В действительности изомеризация может совершаться, вероятно, одним из этих путей, в зависимости от применяемой длины волны. [18]
При помощи электродов кристалл фиксируется в определенном положении. Импульс света продолжительностью от 1 до 2 сек, прилагаемый к кристаллу через один из электродов, сильно поглощается и образует носители заряда очень близко от освещаемой поверхности. Фактически считается, что носители могут возникать только на по верхности, но даже если бы это было неверно, необходимо учесть, что свет применяемых длин волн поглощается очень сильно и не проникает в кристалл больше чем на 10 - 4 см. Если учесть, что исследуется кристалл толщиной 2 мм, то этим расстоянием можно пренебречь. Движение носителей тока в кристалле подобно поляризации диэлектрика в конденсаторе. Следовательно, ток во внешней цепи пропорционален концентрации движущихся носителей заряда, умноженной на среднюю скорость движения. [19]
Последняя величина достигнута через 45 мин. Особенно велика скорость рацемизации при использовании для облучения зеленого света. То, что вращение получено за счет фотохимической асимметрической реакции, а не за счет асимметрического разложения образовавшегося рацемата-продукта присоединения хлора к тринитростильбену-доказано отсутствием поглощающей способности у рацемического продукта в области применяемых длин волн. [21]
Последняя величина достигнута через 45 мин. Особенно велика скорость рацемизации при использовании для облучения зеленого света. То, что вращение получено за счет фотохимической асимметрической реакции, а не за счет асимметрического разложения образовавшегося рацемата-продукта присоединения хлора к тринитростильбену-доказано отсутствием поглощающей способности у рацемического продукта в области применяемых длин волн. [23]
Страницы: 1 2