Cтраница 3
ПЗС успешно применяются в качестве фотоприемников. На их основе разработаны устройства для обработки аналоговых сигналов. В вычислительной технике на основе ПЗС используются буферные и внешние запоминающие устройства. [31]
Кроме биполярных, в качестве высокочувствительных фотоприемников исполь-еуют и полевые транзисторы с управляющим р-я-переходом ( рис. 4 - 15, г), причем последний выполнен как фотодиод. [32]
![]() |
Выходные вольт-амперные характеристики фототранзисторов ( Ф [ Ф2Фз. [33] |
В последнее время в качестве фотоприемников стали использовать полевые транзисторы - канальные и МОП-транзисторы. [34]
![]() |
Схема включения ( а и ВАХ ( б светодиода в фотогенераторном режиме его работы. [35] |
По сравнению с фотодиодным оптроном в качестве фотоприемника в нем используется кремниевый фототранзистор. Фототранзистор работает как обычный транзистор, у которого базой служит площадка для приема излучения. Возникающий от попадания излучения на базу ток управляет коллекторным током транзистора. Выходные ( коллекторные) характеристики фототранзистора подобны аналогичным характеристикам обычного транзистора, но параметром у них является не ток базы, а световой поток ( рис. 9.7), поэтому электрический вывод базы обычно не используется. [36]
С помощью рассмотренных устройств, в которых в качестве фотоприемника использовался термисторный болометр, была достигнута чувствительность обнаружения порядка 10 мкг. [37]
Размер гмин ограничен уровнем шумов фотоумножителя, используемого в качестве фотоприемника. Источником шумов последнего являются термоэлектронная эмиссия с фотокатода и первого динода, а также паразитная засветка его. [38]
Сканирование в электронном тракте осуществляется в тех случаях, когда в качестве фотоприемников используются телевизионные трубки, их твердотельные аналоги и многоэлементные мозаичные приемники. Мгновенное поле зрения в телевизионных и в матричных приемниках определяется формулой (5.72), где 5Д - площадь сканирующей апертуры мгновенного поля зрения, приведенная к масштабам изображения. Таким образом, во всех случаях мгновенное поле зрения может быть определено одной и той же формулой, если площадь сканирующей апертуры 5Д привести к масштабу изображения в фокальной плоскости. Это позволяет находить характеристики всех анализаторов изображения как элементов преобразования излучения по единой методике. [39]
![]() |
Спектральные характеристики фотоэлементов.| Частотная характеристика фотоэлементов. [40] |
Полупроводниковые фотоэлементы могут использоваться в качестве источников электрической энергии, а также в качестве фотоприемников. [41]
![]() |
Спектральные характеристики фотоэлементов.| Частотная характеристика фотоэлементов. [42] |
Полупроводниковые фотоэлементы могут использоваться в качестве источников электрической энергии, а также в качестве фотоприемников. [43]
Вторая важная область применения psw - диодов - оптоэлектрокика где они используются в качестве высокочувствительных быстродействующих фотоприемников. [44]
Германий принадлежит к числу немногих полупроводников, которые можно получить с достаточной степенью чистоты для использования в качестве примесного фотоприемника. Требование чистоты обусловлено тем, что необходимо обеспечить условия, когда оптические и электрические свойства ч юто приемника определяются сознательно введенными, а не остаточными при месями. Даже в случае германия необходимо производить компенсацию малых концентраций остаточных примесей с мелкими уровнями, если необходимо использовать уровень, расположенный глубже. Как было указано в разд. На детекторах из легированного германия в принципе можно получить очень малые инерционности, хотя на практике они будут ограничены постоянной времени КС, поскольку сопротивления детекторов в общей лежат в диапазоне мегаом. [45]