Cтраница 2
Полосы поглощения, характерные для различных функциональных групп. [16] |
При больших длинах волн происходят различные колебания в скелете молекулы, например искривление в случае связи С - - С или изгиб в случае связи С - Н и другие подобные колебания. [17]
Полосы поглощения, характерные для различных функциональных групп. [18] |
При больших длинах волн происходят различные колебания в скелете молекулы, например искривление в случае связи G-С или изгиб в случае связи С - Н и другие подобные колебания. [19]
При больших длинах волн внешний вид поверхности не является надежным критерием отражательной способности. [20]
При больших длинах волн аргументы векторного потенциала А в выражении (4.3) можно заменить равновесными координатами ядер х ( /), поскольку скалярные произведения о-р ( /, i) и о - [ Х ( /) - х ( /) ] практически равны нулю. [21]
При больших длинах волн падающего излучения суммарное рассеяние также определяется практически теми переходами, которые ведут через промежуточные состояния отрицательной энергии электрона. [22]
Температурные зависимости концентрации электронов в германии с разной концентрацией - мышьяка. [23] |
В области больших длин волн в некоторых случаях имеет место поглощение света свободными носителями заряда. При еще больших длинах волн наблюдается решеточное поглощение. [24]
В случае больших длин волн провести исследования методом молекулярной динамики невозможно, в результате этого данные здесь получают на основе экспериментов по рассеянию света в жидкости. [25]
Фононные спектры для Si ( а и GaAs ( б. LO и ТО - продольные и поперечные оптические фононы, LA и ТА - продольные и поперечные акустические фононы. [26] |
В области больших длин волн ( вблизи k O) акустические фононы соседних атомов перемещаются синфазно в то время, как оптические фононы вызывают перемещение атомов в противофазе. [27]
В пределе больших длин волн, когда q 2rNf2 / mc2, правая часть равенства (2.41) пренебрежимо мала и q - хУгш / с. Отметим также, что диэлектрическая проницаемость и дисперсия плазмона изменятся, если диэлектрик будет заполнять не полупространство, а слой конечной толщины ( см. § 5), причем эти изменения сказываются, как правило, прежде, чем начинают проявляться так называемые эффекты запаздывания. [28]
В области больших длин волн в некоторых случаях имеет место поглощение света свободными носителями заряда. При еще больших длинах волн наблюдается решеточное поглощение. [30]