Правый верхний квадрант

Cтраница 2

Обозначим, для краткости, правые верхние квадранты плоскостей ио и р ( вместе с соответствующими граничными полуосями) соответственно как Qu и Qp. Разобьем путь интегрирования по dp в (2.4) на две части и рассмотрим сначала ту, в которой р пробегает вещественные значения от единицы до нуля. [16]

Зависимость сопротивления диода от напряжения и тока.| Частотные характеристики детекторов. [17]

Прямая ветвь ( в пределах правого верхнего квадранта) соответствует пропускному направлению тока и прямой полярности напряжения, а обратная ( в пределах левого нижнего квадранта) - запорному направлению тока и обратному напряжению. Прямой ток достигает значительных величин при падениях напряжения на диоде 0 3 - 1 в. Обратный ток сначала медленно увеличивается при повышении обратного напряжения, но при достаточно высоком обратном напряжении наблюдается резкое нарастание обратного тока, обычно называемое пробоем. [18]

Прямая ветвь, изображенная в правом верхнем квадранте, соответствует проводящему направлению вентиля. [19]

На рисунке представлены линии равного экранирования в правом верхнем квадранте плоскости, проходящей перпендикулярно кольцу через его центр. Нулевая линия представляет собой образующую конуса, разделяющего области экранирования ( положительные вклады) и деэкранирования. По абсциссе и ординате отложены расстояния от центра кольца по радиусу и по оси симметрия соответственно. [20]

В связи с тем, что оба листа содержат правый верхний квадрант ate окрестности точки t ( он расположен вне петли ударной поляры) границы листов пересекают этот квадрант. Q ( в некоторой окрестности отрезка) лежит слева от него. Отрезок 0102 может, однако, ограничивать только один лист образа Q, так как при М 1 линий ветвления не существует. [21]

Обедненные слои в транзисторе и потенциальная диаграмма. [22]

Выходные характеристики, соответствующие отрицательным значениям напряжения коллектор-база, в правом верхнем квадранте идут почти горизонтально, но все же с небольшим увеличением. Чтобы объяснить это увеличение, рассмотрим потенциальную диаграмму транзистора, приведенную на рис. 5.11, где также показаны обедненные слои транзистора. Отметим, что так как эмиттер и коллектор сильнее легированы примесью, чем база, то эти слои сосредоточены главным образом в базе. [23]

Долгое время признавалась верной гипотеза, утверждавшая что наивысшие уровни двух переменных ( правый верхний квадрант на рис. 11.6) формируют наилучший стиль руководства. [24]

Если кривая статического момента задана в функции времени ( а не угла или пути), то в правом верхнем квадранте строятся кривые М f ( t), а правый нижний квадрант является лишним. [25]

Зависимость угла отсечки тока базы от параметров транзистора и сопротивления цени. [26]

По характеристике левого нижнего квадранта рис. 10.6 находят соответствующие этим напряжениям токи базы / бмип и А макс - На поле характеристик правого верхнего квадранта рис. 10.6 выделяют характеристики, соответствующие токам базы / б шш и / б макс - По их пересечению с нагрузочной характеристикой для переменных токов ( линией ЕЖ) определяют соответствующие им токи коллектора / КМШ1 и / кма С. [27]

Этот путь наносим на оси h и в правом нижнем квадранте строим кривую ( ломаную) h / ( t) [ или 9 / ( t) ], а в правом верхнем квадранте проводим ординату через конец отрезка ДА С помощью этой ординаты наносим новую ступеньку М2 статического момента. [28]

Оптимальную вязкость определяют следующим образом: на рис. 4 по шкале твердости НВ откладывают твердость по Бринелю менее твердой из контактирующих поверхностей, затем проводят горизонтальную линию 1 до пересечения с наклонной линией в правом верхнем квадранте. [29]

График для выбора вязкости чисто нефтяных масел для смазки стальных зубчатых передач. [30]

Страницы: 1 2 3 4