Cтраница 2
Большинство квазичастиц, подчиняющихся фермиевской статистике, связано с переносом заряда. Электроны и дырки полупроводников, электроны проводимости металлов, нормальные электроны в сверхпроводнике, поляроны и флуктуоны - вот короткий, но довольно полный перечень квазичастиц-фермионов. Во всех перечисленных случаях квазичастица имеет элементарный электронный заряд е, и в этом смысле ква-зичастицы-фермионы ближе к реальным частицам, чем квазичастицы-бозоны. [16]
Для квазичастиц, как увидим ниже, возможны законы дисперсии и более общего вида. Механические свойства таких квазичастиц имеют много необычных особенностей. В частности, само понятие массы квазичастицы является совершенно условным. [17]
Введем квазичастицы, являющиеся суперпозициями частицы, имеющей импульс k и проекцию спина П 12, и частицы, имеющей импульс - k и проекцию спина - П II. [18]
Число квазичастиц, естественно, не сохраняется - оно изменяется с температурой. [19]
Своеобразие квазичастиц - фононов проявляется не только в зависимости их энергии от квазиимпульса, но и в характере их взаимодействия друг с другом. [20]
Энергия квазичастицы может зависеть от ее импульса самым причудливым образом. А между тем именно эта зависимость имеет первостепенную важность. Вспомним, что каждая квазичастица соответствует определенному элементарному возбуждению, то есть определенному типу движения всей жидкости. [21]
Введем квазичастицы, являющиеся суперпозициями частицы, имеющей импульс k и проекцию спина П 12, и частицы, имеющей импульс - k и проекцию спина - П II. [22]
Понятие квазичастицы заимствовано нами из теории многих частиц [61], являющейся сейчас ведущей теорией физики атомного ядра. Весьма наглядный пример понятия квазичастицы представляет собой разреженный газ из нейтральных атомов ( например, аргон), которые в свою очередь состоят из ядер и электронов. Едва ли можно построить теорию такого газа исходя непосредственно из сил взаимодействия между ядрами и электронами; притом такая теория оказалась бы чрезвычайно сложной, так как эти силы весьма значительны. Если же считать совокупность одного ядра и соответствующего числа электронов за квазичастицу, то это дает возможность рассматривать систему как идеальный газ. Квазичастицей в данном случае является атом газа. [23]
Перемещение подобной квазичастицы или активированного комплекса может быть связано с переносом вещества. В частности, в его составе при возникновении на границе с газовой средой существенную роль играют скопления вакансий Кме. Поэтому подобные активируемые комплексы, перемещаясь из области, богатой Уме, в область, богатую атомами Me, осуществляют перенос атомов X к границе МеХ / Ме и атомов Me к границе с газовой средой. При перемещении активного комплекса к границе МеХ / Ме может происходить постепенное рассасывание вакансиониого скопления в боковых направлениях. [24]
![]() |
ФРЭ полупроводника в состоянии насыщения. [25] |
Для квазичастиц сортов а, р волновая функция 0 состояния насыщения описывает вакуум. [26]
Для квазичастиц твердого тела эта зависимость является более сложной, напр, для электронов проводимости с энергетич. [27]
На квазичастицу в поле Н в соответствии с классич. [28]
Такую квазичастицу - частицу с положительной эффективной массой и положительным зарядом, равным по абсолютной величине заряду электрона - называют дыркой и говорят, что кристалл при этом обладает дырочной проводимостью. [29]
Под кристаллической квазичастицей понимается соединение, изоструктурное раствору с заданными значениями параметров дальнего и ближнего порядков и дефектности. Выбор их является одним из основных моментов метода, поскольку фактически определяет всю физическую постановку задачи. Рассмотрим случай, для которого описываемое свойство / определяется дальним порядком. Пусть имеем я-ком-понентный упорядочивающийся сплав с ОЦК-решеткой. [30]