Длительность - тактовый импульс
Cтраница 2
Длительность импульсов дифференцирования фронтов информационных посылок должна несколько превышать длительность тактовых импульсов. [16]
При измерении и эксплуатации микросхем необходимо учитывать следующие импульсные параметры: длительность положительного тактового импульса, измеренного на уровне 0 1 1 / т не менее 150 не; длительность отрицательного тактового импульса, измеренного на уровне 0 9 UT не менее 100 не; длительность фронта ( среза) тактового импульса не более 20 не; время задержки фронта и спада входного сигнала ( на уровне 0 4 В и 2 4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала ( на уровне 0 1 l / т) не менее 25 не; время опережения фронта и спада входного сигнала ( на уровне 2 4 В и 0 4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала ( на уровне 0 9 Ur) не менее 100 не. [17]
 |
Схемы магнитно-диодных логических устройств с диодными логическими приставками и усилителем - повторителем. [18] |
Основным недостатком магнитно-диодных логических устройств являются высокие требования к стабильности амплитуды и длительности тактовых импульсов, изменение которых может нарушить правильную работу схем. [19]
Исходя из этого, необходимо выбирать параметры: хемы так, чтобы длительность тактового импульса юлностью использовалась для заряда конденсатора. [20]
Это приводит к потере некоторой части зарядов при каждой передаче, причем сокращение длительности тактовых импульсов увеличивает эти потери. Поэтому через определенное число ступеней регистра необходимо помещать специальные схемы обновления ( регенерации) зарядов, причем тем чаще, чем более высокое быстродействие требуется получить. [21]
 |
Регистр К561ИР9 ( а и его цоколевка ( б. [22] |
Время установления сигналов по входам J, К должно быть менее 250 не, длительность тактового импульса большей или равной 250 не, а импульса сброса - 200 не. [23]
 |
Схема устройства выделения первого импульса ( а и временные диаграммы его работы ( б. [24] |
Как следует из временной диаграммы, изображенной на рис. 5.41 6, длительность сигнала на выходе Q2 равна периоду ТИ, а длительность выходного сигнала у - длительности тактового импульса. [25]
При измерении и эксплуатации микросхем необходимо учитывать следующие импульсные параметры; длительность положительного так-тспого импульса, измеренного на уровне 0 1 И, не менее 150 не; длительность отрицательного тактового импульса, измеренного на уровне 0 9 U -, не менее 100 не; длительность фронта ( среза) тактового импульса не более 20 не; время задержки фронта и спада входного сигнала ( на уровне 0 4 В и 2 4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала ( на уровне 0 1 U) не менее 25 не; время опережения фронта и спада входного сигнала ( на уровне 2 4 В и 0 4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала ( на уровне 0 9 U -) не менее 100 не. [26]
При измерении и эксплуатации микросхем необходимо учитывать следующие импульсные параметры: длительность положительного тактового импульса, измеренного на уровне 0 1 1 / т не менее 150 не; длительность отрицательного тактового импульса, измеренного на уровне 0 9 UT не менее 100 не; длительность фронта ( среза) тактового импульса не более 20 не; время задержки фронта и спада входного сигнала ( на уровне 0 4 В и 2 4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала ( на уровне 0 1 l / т) не менее 25 не; время опережения фронта и спада входного сигнала ( на уровне 2 4 В и 0 4 В соответственно) относительно фронта тактового сигнала ( на уровне 0 9 Ur) не менее 100 не. [27]
Пользуясь соотношениями ( 2 - 39), ( 2 - 40) и ( 2 - 42), а также ( 2 - 43) и ( 2 - 44), выбирают типоразмер сердечника, длительность тактовых импульсов ( время перемагничивания т) и тип диода. [28]
Генератор тактовых импульсов ( Г-03) формирует тактовые сигналы, частота которых определяет скорость передачи информации но каналу связи. Длительность тактового импульса принята равной ( и40 мс. [29]
Сигналы внешнего генератора тактовых импульсов уровней ТТЛ подаются на вывод 2 БИС АЦП. Длительность внешних тактовых импульсов не должна превышать 60 не. [30]
Страницы: 1 2 3 4