Кикуча
Cтраница 3
Для симметричных случаев, когда линии - j - 0 / i и - 0ft почти одинаково удалены от центрального пучка, часто образуется более сложная структура из полос Кикучи с избытком или недостатком интенсивности по всей области между парами линий и асимметрией интенсивности вблизи истинных положений линий. [31]
Эвальда, а линия Кикучи проходит через пятно: б - s 0; узел обратной решетки лежит внутри сферы Эвальда, а линия Кикучи находится за пятном вдали от центрального пятна; в - s 0; если узел обратной решетки лежит вне сферы Эвальда, то линия Кикучи находится между центральным и отраженным пятнами. [32]
 |
Эяектроиограмма от текстуры 1п, е -.| Кристаллическая структура 2 5 днкетошшеразина, рассчитанная с помощью ЭВМ. Сгущение линий соответствует положениям атомов С. N. О и Н. [33] |
При изучении массивных образцов используют дифракцию электронов на отражение, когда падающий пучок как бы скользит по пов-сти образца, проникая на глубину 5 - 50 нм. Кикучи, на основании к-рой можно делать выводы о совершенстве структуры. [34]
Однако подобного рода вопросы носят искусственный характер и не имеют прямого отношения к проблеме гомогенной конденсации пара. Кикучи [233, 236], используя решеточный статистический метод, попытался связать свойства кластера в паре со свойствами геометрически подобного кластера внутри неограниченной жидкости. И хотя он получил коэффициент Q / Q - 10 перед Nl в ( 170), близкий к результату Рейсса и др. ( 171), его собственное определение поверхностного натяжения кластера в паре неубедительно. [35]
Часто исследуемые препараты имеют упорядоченность, промежуточную между перечисленными выше основными типами. Кикучи и полос ( см. рис. 3 в от. Наиболее четко этот эффект наблюдается при съемках на отражение от граней достаточно совершенного кристалла. [37]
Величина gy, приведенная в табл. 7, относится к направлению, параллельному оси с кристалла. Это было доказано Кикучи и Ченом [51] для иона V4, введенного в решетку SnO2, по сверхтонкой структуре от изотопов олова. Такое примешивание возможно, так как при симметрии D2h обе орбитали относятся к одному и тому же неприводимому представлению. Качественно его можно объяснить тем, что при смешивании орбитали ( 3z2 - г2) с орбиталью ( х2 - г / 2) плотность заряда в одном из лепестков орбитали ( х2 - г / 2) увеличивается, а в другом уменьшается. [38]
Эффект каналирования заключается в появлении системы полос и более или менее четких тонких линий; ширина полос и их расположение закономерно связаны с кристаллической структурой и ориентировкой кристалла. Картинам каналирования подобны линии Кикучи, поэтому их иногда называют псевдо - Кикучи линиями. [39]
Линии Кикучи также обнаруживают тонкую структуру. Каждому экстремуму величины Is соответствует светлая или темная линия Кикучи, параллельная основной линии Кикучи. Такие дополнительные линии называются сателлитами. Они позволяют без труда измерять расстояние между максимумами и минимумами. Иллюстрацией может служить фото 4, где легко обнаружить большое число сателлитов. Действующее ( наиболее интенсивное) отражение соответствует узлу ( 1010), образец - графит. [40]
 |
Конусы лучей, приводящие к появлению линий Кикучи на электронно-дифракционной картине. [41] |
Один конус содержит избыточное излучение по сравнению с интенсивностью фона, второй - недостаточное. Пересечение этих конусов с плоскостью наблюдения приводит к появлению линий Кикучи от этой отдельной дифрагирующей плоскости, причем линия меньшей интенсивности расположена ближе к пятну первичного пучка. Появление линии Кикучи свидетельствует, во-первых, о высокой степени совершенства кристалла. Отражающие плоскости, которые приводят к появлению пар линий, должны иметь одинаковую ориентацию по всему кристаллу. Если их соосность изменяется, то линии Кикучи расширяются и сливаются с фоном. Во-вторых, картина линий Кикучи может быть использована для определения ориентации тонких монокристаллических пленок с большей точностью, чем это возможно выполнить по одним только брэгговским рефлексам. Для идентификации ориентации алмазной кубической и гране-центрированной [13], а также и для объемно-центрированной и гексагональной [ 14J монокристаллических пленок опубликованы схемы картин Кикучи. Его величина и, в особенности, его знак важны для интерпретации дифракционного контраста в просвечивающей электронной микроскопии. Для s 0 линии повышенной и пониженной интенсивности проходят через дифракционное пятно и пятно первичного пучка. Для s О обе линии смещены в направлении, идущем от пучка к дифракционному-пятну, в то время как для. Рентгеновским аналогом линий Кикучи являются линии Косселя, которые возникают, когда источник расходящихся рентгеновских лучей расположен близко к поверхности кристалла. [42]
Эти исследования были сделаны безотносительно к тому факту, что картины Кикучи возникают из процессов многократного неупругого и некогерентного рассеяния. Однако, поскольку количественные значения интенсивностей не рассматриваются, достаточно учесть, что все электроны в кристалле, рассеянные любым числом взаимодействий разной природы, имеют почти одинаковые длины волн и подвергаются почти одинаковому - волновому динамическому рассеянию, так что достаточно рассмотрения упругого рассеяния электронов, излучаемых точечным источником. [43]
На электронограммах, ( унятых на отражение, видны четкие полосы Кикучи. [44]
Эффект каналирования заключается в появлении системы полос и более или менее четких тонких линий; ширина полос и их расположение закономерно связаны с кристаллической структурой и ориентировкой кристалла. Картинам каналирования подобны линии Кикучи, поэтому их иногда называют псевдо - Кикучи линиями. [45]
Страницы: 1 2 3 4