Cтраница 3
Формирование импульсов включе. [31] |
При увеличении R2 длительность паузы возрастает. [32]
При увеличении kn длительность пауз уменьшается. При увеличении Т и, длительность пауз увеличивается. Время, в течение которого за счет последующих импульсов ИМ переместится на расстояние, равное расстоянию перемещения за счет первого пропорционального импульса, всегда численно равно ТИ. [33]
Заданное число определяет длительность паузы. [34]
Для оценки зависимости длительности паузы от температуры используем выведенные в предыдущих разделах зависимости ( 3 - 2), ( 3 - 6), ( 3 - 8), ( 3 - Й) и ( 3 - 13), связывающие длительность паузы с характеристиками р-п-переходо в триода. При изменении температур относительно окружающей на i 40 С величина А обратно пропорциональная абсолютной температуре, меняется слабо. Is от температуры, полученные из теоретических предпосылок, сказываются существенно слабее, чем обычно наблюдаемые экспериментально. [35]
Случаи неправильного выбора. [36] |
Для германиевых транзисторов на длительность паузы 7V оказывает влияние еще и ток / ко в базе запертого транзистора. [37]
Поскольку в ждущем режиме длительность паузы задается периодом спусковых импульсов, сопротивление R выбирают достаточно малым, с тем чтобы разряд конденсатора заканчивался до прихода очередного импульса. [38]
Ток транзистора Те определяет длительность паузы между импульсами. [39]
При малой толщине, длительности паузы 5 - 6 периодов и расстоянии между точками 7 - 8 мм рост ядра прекращается очень быстро. [41]
Поскольку в ждущем режиме длительность паузы задается периодом спусковых импульсов, величину R выбирают достаточно малой, с тем чтобы разряд конденсатора заканчивался до прихода очередного импульса. [42]
Временной интервал счета равен длительности паузы между запускающими импульсами. [43]
Схема блокинг-генератора.| Магнитодиодкая ячейка. [44] |
Длительность импульсов ta равна длительности пауз п между ними, если параметры одноименных элементов схемы одинаковы. [45]