Длительность - спад
Cтраница 5
Генераторы импульсных сигналов являются источниками видеоимпульсов с известной формой, длительностью, частотой повторения и высотой. Основная форма импульсов прямоугольная. Прямоугольный импульс идеальной формы характеризуется длительностью т и высотой U. Реальная форма импульса отличается от идеальной, и для его характеристики существуют обязательные правила. Длительность импульса определяется на уровне 0 5 U. Высота импульса ограничивается точкой пересечения усредненной линии вершины импульса с его фронтом. Длительность фронта Тф соответствует времени нарастания импульса от 0 1 U до 0 9 U; длительность спада тс - времени убывания сигнала от 0 9 U до 0 1 U. Выбросы на верютнах импульсов и в паузе между ними оцениваются в процентах от высоты импульса. [61]
Рассасывание заряда происходит вследствие ухода дырок из базы через коллекторный и эмиттерный переходы. В момент времени / рас избыточная концентрация неосновных носителей в базе около коллекторного р - - перехода достигает нуля. Время рассасывания / рас определяется как интервал времени с момента выключения входного импульса и связанного с этим изменением направления тока базы до момента, когда концентрация дырок у коллекторного перехода уменьшится до нуля. Величина его зависит от конструкции эмиттера, величины его тока и длительности импульса / имж. Для уменьшения / рас на входе цепи в момент окончания действия импульса создают ток обратного направления / эа, что ускоряет рассасывание дырок в базе. По истечении времени tpac рабочая точка транзистора переходит на границу активной области и начинается спад выходного тока. Длительность спада / сп определяется как время, в течение которого ток уменьшается от 0 9 до 0 1 тока насыщения. [62]
 |
Типичная схема фантастрона с катодной связью.| Диаграммы напряжений в типичной схеме. [63] |
Поступающий на защитную сетку положительный запускающий импульс вызывает протекание анодного тока. Результирующее падение потенциала анода передается на управляющую сетку через конденсатор Сь вызывая снижение ее потенциала. Последнее вызывает уменьшение общего катодного тока лампы, что в свою очередь вызывает падение потенциала катода. Напряжение на защитной сетке обусловливает дальнейшее увеличение анодного тока. Этим завершается нарастающий процесс опрокидывания. В результате ход процесса опрокидывания имеет вид, описанный в § 9 - 2 для фантастрона со связью по экранирующей сетке. Когда напряжение на аноде больше не может уменьшаться при увеличении напряжения на управляющей сетке, то последнее возрастает со значительно большей скоростью. Вследствие этого увеличивается катодный ток, а следовательно, и напряжение на катоде, вызывая в результате увеличение смещения на защитной сетке и уменьшение анодного тока. Увеличение напряжения на аноде передается на управляющую сетку через конденсатор Ci. При этом завершается нарастающий процесс опрокидывания, при котором происходит отсечка защитной сетки, а лампа возвращается в свое исходное состояние покоя. Длительность спада напряжения на аноде может управляться начальным анодным напряжением ижх, устанавливаемым с помощью диода и - Регулировка исходного напряжения ижк, к которому подключается диод JJit обеспечивает линейную регулировку длительности напряжения на аноде. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5