Длительность - срез - выходной импульс
Cтраница 1
Длительность среза выходного импульса можно определить, зная момент, когда заряд в базе примерно равен нулю. [1]
Таким образом, длительность среза выходного импульса в схеме с общей базой зависит от предшествующего состояния триода. [2]
Рассчитываем время задержки и длительность среза выходного импульса при запирании диодного ключа. [3]
Рассчитываем время задержки и длительность среза выходного импульса при отпирании диодного ключа. [4]
 |
Схема диодного ключа, построенного на транзисторе с параллельно включенными переходами ( а, и эквивалентная схема диода ( б. [5] |
Рассчитываем время задержки и длительность среза выходного импульса при запирании диодного ключа. [6]
К недостаткам рассматриваемых мультивибраторов относится чрезмерно большая ( по сравнению с длительностью фронта) длительность среза выходного импульса. [7]
При работе в спусковом режиме быстродействие триггера определяется временем переброса 7 ер, которое складывается из продолжительности стадии подготовки ta / рас 4 б и длительности среза выходного импульса / ор. На первом этапе стадии поготовки происходит рассасывание избыточных носителей из базы насыщенного транзистора. [8]
Напряжение на емкости стремится к значению UM, однако в момент t t3, когда напряжение на выходе проходит через нуль, диод открывается и конденсатор прекращает разряжаться. Это ведет к тому, что длительность среза отрицательного выходного импульса будет меньше длительности фронта. [9]
Форма напряжения на коллекторе TI и катоде диода Д при запуске ждущего мультивибратора одиночным импульсом ( рис. 6.69, а) показана на рис. 6.69, б, в. Можно, однако, видеть, что сокращение длительности среза выходного импульса достигнуто за счет еще большего увеличения времени восстановления. [10]
Анализируется переходный процесс, который протекает в трех схемах включения полупроводникового ключа при его запирании. Рассматривается влияние процессов, происходящих в базе триода, на длительность среза выходного импульса. [11]
В течение всего времени восстановления коллектор Тл отключен от конденсатора Сг. Форма напряжения на коллекторе TI и катоде диода Д показана на рис. 5.66, б, в. Можно, однако, видеть, что сокращение длительности среза выходного импульса достигнуто за счет еще большего увеличения времени восстановления. [12]
Стадия рассасывания избыточных носителей, накопленных у р-п переходов, количественно характеризуется временем рассасывания tvac, определяемым как время, прошедшее с момента подачи запирающего импульса до момента смещения р-п переходов в обратном направлении. В схемах на униполярных транзисторах эта стадия отсутствует. После запирания р-п переходов и перекрытия канала униполярного транзистора начинается стадия формирования среза выходного импульса, которая количественно характеризуется двумя величинами: временем задержки / а, определяемым как время, в течение которого срез выходного импульса изменяется на 0 1 от своего амплитудного значения, и длительностью среза выходного импульса tcp, представляющей собой время, в течение которого выходной импульс спадает от 0 9 до 0 1 своего амплитудного значения. [13]
После завершения процесса рассасывания транзистор ключевого каскада переходит в активный режим. Начинается формирование среза выходного импульса напряжения. Длительность этого процесса составляет лишь малую долю от длительности среза выходного импульса; существенно большую длительность имеет процесс заряда емкости Ск. [14]
После завершения процесса рассасывания транзистор ключевого каскада переходит в активный режим. Начинается формирование среза выходного импульса напряжения. Коллекторный ток уменьшается от значения / кн, стремясь к уровню / Каж2 с постоянной времени Ээ. Процесс уменьшения коллекторного тока от / кп до / ко, близкого к нулю, происходит весьма быстро, особенно при большом запирающем токе базы. Длительность этого процесса составляет лишь малую долю от длительности среза выходного импульса; существенно большую длительность имеет процесс заряда емкости Ск. После отсечки коллекторного тока эта емкость продолжает заряжаться от источника Е через RK. [15]
Страницы: 1