Длительность - фронт - импульс
Cтраница 1
Длительность фронта импульса - см. Импульс. [1]
 |
Схема мультивибратора на однотипных дрейфовых транзисторах с эмиттерной вре-мязадающей RC-цепью и блокирующими элементами.| Схема мультивибратора на однотипных транзисторах с эмиттерньщ время. [2] |
Длительность фронта импульса на коллекторе транзистора Т / характеризуется, в основном, скоростью нарастания коллекторного тока при управлении транзистором по эмиттеру. [3]
Длительность фронта импульса - см. Импульс. [4]
Длительность фронта импульса на коллекторе транзистора 7 при его отпирании зависит в основном от скорости установления стационарного, почти нулевого напряжения на коллекторе этого транзистора. Время регенерации при определении длительности фронта импульса можно не учитывать, так как в это время напряжение на коллекторе транзистора Тг изменяется на незначительную величину. [5]
Длительность фронта импульса этого блокинг-генератора сильно зависит от индуктивности L, препятствующей нарастанию сеточного тока и напряжения. [6]
Длительности фронтов импульсов на коллекторе Г4 в этом мультивибраторе имеют значение тф. [7]
Длительность фронта импульса в оконечном каскаде обычно составляет около 0 6тф или 0 2тф всего тракта приемника. [8]
 |
Схема мультивибратора с повышенной стабильностью частоты. [9] |
Длительность фронта импульсов мультивибратора, выполненного на транзисторах типа П16 по такой схеме, не превышает 1 мксек. [10]
Длительность фронта импульса тф - это промежуток времени, в течение которого напряжение на выходе усилителя возрастает от 10 до 90 % от напряжения U установившегося режима при скачкообразном изменении входного напряжения на величину С / ВХ. [11]
Длительность фронта импульса высокого напряжения 1 - 1 5 мксек. [12]
Определяем длительность фронта импульса по трактам. [13]
Определим длительность фронта импульса на коллекторах транзисторов полученной системы. [14]
Если длительность фронтов импульсов задана, транзисторы необходимо выбрать по заданному фронту импульса. При жестких требованиях к стабильности временных параметров импульсов и рабочий температур, больших 75 С, необходимо применять кремниевые транзисторы. Следует иметь в виду, что импульсы с нестабильностью длительностей от § до 5 % и больше в диапазоне температур от - 50 до - ( - 50 С могут быть получены при использовании германиевых транзисторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5