Cтраница 2
Очевидно, что чем больше амплитуда базового тока / бт, тем меньше длительность фронта выходного импульса. [16]
В ограничителе, рассмотренном в задаче 3.6 ( см. рис. 3.3), с целью уменьшения длительности фронтов выходных импульсов параллельно резистору R включена ускоряющая емкость С. [17]
Полученный результат свидетельствует о том, что входные импульсы не могут быть удовлетворительно переданы на выход, так как длительность фронта выходного импульса оказалась больше длительности входного импульса. [18]
Сообразуясь с заданным 1 мкс и полученным значением ta вх0 4 мкс, а также имея в виду, что на длительности фронта выходного импульса дополнительно ска-жутся емкости Сн и Ск ( 1), примем 40 2 мкс. [19]
К анализуТ переходных процессов в триггере на туннельном диоде. [20] |
Полагая в формуле ( 3) ДиАиМакоАС / 10 5 в, L3 - 1Q - 8 гн, At T10 - - 40 нсек ( экспериментальная длительность фронта выходного импульса для исследованных диодов), 100 ом, получаем eL 4ч - 15 мв, что гораздо меньше Аймаке. Более точно критерий пренебрежения индуктивностью рассмотрен ниже. [21]
Стадия формирования фронта количественно характеризуется двумя величинами: временем задержки выходного импульса t3, определяемым как время, прошедшее с момента подачи входного импульса до момента нарастания выходного импульса до уровня 0 1 от своего установившегося значения, и длительностью фронта выходного импульса / ФР, в течение которого выходной импульс нарастает от 0 1 до 0 9 своего установившегося значения. [22]
Параметры некоторых фотокатодов ( обозначения даны в тексте.| Параметры некоторых отечественных импульсных ФЭ. [23] |
Основными параметрами ФЭ ( в том числе ФЭУ) являются рабочая площадь ФК; номинальное напряжение питания; область спектральной чувствительности; спектральная чувствительность для длины волны Яш, на которой параметр имеет максимальное значение; световая ( интегральная) чувствительность; темновой ток; наибольшее значение анодного тока в линейном режиме; длительность фронта выходного импульса ( на уровне 0 1 - 0 9); межэлектродная емкость ( на выходе); долговечность при заданном анодном токе. [24]
При мвх t / Bxl eol транзистор Т1 открыт, а транзистор Т2 заперт; сквозной ток через каналы транзисторов снова отсутствует, и ненагруженная схема мощности практически не потребляет. В течение длительности фронта выходного импульса может оказаться, что проводят оба транзистора и через каналы пройдет импульс сквозного тока. За счет импульсов сквозного тока рассеиваемая каскадом мощность при большой частоте переключений может увеличиться. [25]
Для уменьшения длительности фронта выходного импульса необходимо использовать высокочастотные транзисторы, имеющие большое значение граничной частоты fa, а следовательно, малую постоянную времени Ов. Время переключения таких транзисторов незначительно. [26]
Тг открыт, а транзистор Т2 заперт, сквозной ток через каналы транзисторов снова отсутствует и ненагруженная схема мощности практически не потребляет. В течение длительности фронта выходного импульса может оказаться, что проводят оба транзистора и через каналы пройдет импульс сквозного тока. За счет импульсов сквозного тока мощность рассеяния каскада при большой частоте переключений может увеличиться. [27]
Спусковые схемы на туннельных диодах. а - триггер. б - одновибратор. [28] |
Переключение схемы из одного положения равновесия в другое происходит за очень короткий промежуток времени, пропорциональный R C. Это время соответствует длительности фронтов выходных импульсов. [29]
При медленном входном сигнале начало процесса опрокидывания определить практически невозможно, так как лавинный процесс начинается медленно. В то же время длительность фронта выходного импульса не зависит от скорости изменения входного сигнала ( если эта скорость достаточно мала) и определяется только параметрами самой схемы. Так как собственное время переключения туннельного диода весьма невелико, то входные сигналы, полученные с транзисторных устройств, являются относительно медленными и указанная выше ситуация является характерной. [30]