Днод

Cтраница 2

Зависимость между анодным током I, и анодным напряжением Us определяется законом степени / 2: / agt / a / 2 где g - коэффициент пропорциональности, зависящий от конструктивных особенностей днода. Закон степени 3 / 2 относится к основному рабочему участку ( в-г) вольт-амперной характеристики. [16]

Фазовые соотношения в БС на щелевом мосте при преобразовании сигнала и шумов гетеродина. [17]

БС с разнополярным включением диодов ( нагрузочные цепи днодов по ПЧ и постоянному току не показаны); б) схема включения днодов в одинаковой полярности; в) Векторные диаграммы СВЧ напряжений на диодах БС при преобразовании сигнала РС ( вверху) и шумов гетеродина Ршг ( внизу); U ъ - векторная сумма СВЧ напряжений сигнала Uс ( или шумов гетеродина Uшг) н гетеродина Ur на каждом нз днодов; г) огибающие продетек-тированных напряжений V % ( выходные напряжения ПЧ) иа выходе каждого диода при преобразовании Рс ( вверху) и Ршг ( внизу); /, 2-диоды; 3 - смесительные камеры; 4 - щелевой мост. [18]

Большой интерес представляет возможность детектирования ММ н СБМ излучения н даже длинноволнового ( вплоть до 10 м м) ИК излучения структурами металл - металл. Дноды на основе таких структур в конструктивном отношении не отличаются от обычных точечно-контактных диодов, однако полупроводниковый кристалл заменяется металлической пластиной. Механизм работы таких диодов пока что не выяснен, однако большинство исследователей полагает, что здесь имеют место те же процессы, что н в диодах с прижимными контактами металл - полупроводник. Не исключено, что существенную роль играет окисная пленка на поверхности металла. [19]

Например, описаны дноды с поверхностной металлизацией верхней грани, имеющие rsll Ом; Сп5 5 - 10 - 3 пФ при нулевом смещении. [20]

Значения прямых токов зависят, конечно, от площади структуры и качества теплоотвода. В настоящее время разработаны дноды Шоттки на прямые токи порядка 50 А. [21]

Схема АРУ с усилением по постоянному току и задержкой, не зависящей от режима работы усилителя. [22]

Таким образом, момент открывания днода Д ] соответствует nopurv срабатывания системы АРУ. Превышение в исходном режиме напряжения на сопротивлении RS над напряжением на Re обеспечивает задержку в системе АРУ. [23]

Достоинством ДГНЗ является большая, чем у других точечно-контактных диодов, устойчивость к электрическим и механическим перегрузкам, что связано с объемным характером протекающих в них процессов. Поэтому ДГНЗ обладают более стабильными во времени характеристиками, чем дноды с барьерами Шоткн и диоды с р-л-переходамн, и менее подвержены влиянию условий окружающей среды. Кроме того, из-за отсутствия емкости барьерного слоя полное сопротивление таких диодов практически чисто активное, что упрощает нх согласование с СВЧ трактом. [24]

При достижении определенного напряжения, которое называют напряжением стабилизации, сопротивление стабилитрона резко падает, он открывается и проводит ток. Если к стабилитрону приложено прямое напряжение, он проводит ток как обычный днод. [25]

Структурная схема твердотельного генератора накачки с умножением частоты. [26]

Наиболее широкое распространение получили варакторные диоды и арсенида галлия GaAs, хотя до последнего времени нх выполняют на базе германия и кремния. На первых этапах изготавливали в основном диффузионные ( на основе мезоструктур), сварные н точечные варакторные дноды. В последнее время изготавливают диоды с барьером Шотткн, имеющие наилучшие параметры. [27]

Соответственно первого, второго и третьего диодов, 4 Первого диода 1.05 пф; второго диода 4.9 пф: третьего диода 4 5 чф; анод триода - анод любого диода 0 1 пф -, сетка триода - анод первого диода 0.05 пф; сетка триода - анод третьего диода O. OJ пф; сетка триода - катод второго диода ОДВ пф; катод второго днода - остальные яектродм 5 4 пф; катод второго днода - подогреватель 2 8 пф. [28]

Влияние поверхностных состояний на обратную ветвь вольт-амперной характеристики диода. [30]

Страницы: 1 2 3