Cтраница 2
В оба контура подается напряжение накачки от одного и того же генератора. В результате параметрического возбуждения колебаний в балластном контуре возникают колебания, фаза которых жестко связана с фазой колебаний, создаваемых генератором накачки. Фаза усиленных колебаний в приемном контуре зависит как от фазы принимаемых колебаний, так и от фазы колебаний накачки. Складывая или вычитая колебания в приемном и балластном контурах, можно получить результирующее колебание, в которое фаза колебаний накачки вообще не входит. Поэтому из наиболее благоприятных условий накачки энергии выпадает требование об определенном соотношении между фазами принимаемых колебаний и колебаний накачки. [16]
Для этой цели применяются, главным образом, параметрические диоды, емкость которых изменяется под действием высокочастотного напряжения, создаваемого специальным генератором накачки. В оба контура подается напряжение накачки от одного и того же генератора накачки. В результате параметрического возбуждения колебаний в балластном контуре возникают колебания, фаза которых жестко связана с фазой колебаний, создаваемых генератором накачки. Фаза усиленных колебаний в приемном контуре зависит как от фазы принимаемых колебаний, так и от фазы колебаний накачки. Складывая или вычитая колебания в приемном и балластном контурах, можно получить результирующее колебание, в которое фаза колебаний накачки вообще не входит. [17]
В оба контура подается напряжение накачки от одного и того же генератора. В результате параметрического возбуждения колебаний в балластном контуре возникают колебания, фаза которых жестко связана с фазой колебаний, создаваемых генератором накачки. Фаза усиленных колебаний в приемном контуре зависит как от фазы принимаемых колебаний, так и от фазы колебаний накачки. Складывая или вычитая колебания в приемном и балластном контурах, можно получить результирующее колебание, в которое фаза колебаний накачки вообще не входит. Поэтому из наиболее благоприятных условий накачки энергии выпадает требование об определенном соотношении между фазами принимаемых колебаний и колебаний накачки. [18]
В оба контура подается напряжение накачки от одного и того же генератора. В результате параметрического возбуждения колебаний в балластном контуре возникают колебания, фаза которых жестко связана с фазой колебаний, создаваемых генератором накачки. Фаза усиленных колебаний в приемном контуре зависит как от фазы принимаемых колебаний, так и от фазы колебаний накачки. Складывая или вычитая колебания в приемном и балластном контурах, можно получить результирующее колебание, в которое фаза колебаний накачки вообще не входит. Поэтому из наиболее благоприятных условий накачки энергии выпадает требование об определенном соотношении между фазами принимаемых колебаний и колебаний накачки. [19]
Для этой цели применяются, главным образом, параметрические диоды, емкость которых изменяется под действием высокочастотного напряжения, создаваемого специальным генератором накачки. В оба контура подается напряжение накачки от одного и того же генератора накачки. В результате параметрического возбуждения колебаний в балластном контуре возникают колебания, фаза которых жестко связана с фазой колебаний, создаваемых генератором накачки. Фаза усиленных колебаний в приемном контуре зависит как от фазы принимаемых колебаний, так и от фазы колебаний накачки. Складывая или вычитая колебания в приемном и балластном контурах, можно получить результирующее колебание, в которое фаза колебаний накачки вообще не входит. [20]
Следует отметить, что чем ниже температура парамагнитного кристалла, тем больше разность населенностей энергетических уровней. При обычной температуре разность населенностей уровней мала. В результате в индуцированных спиновых переходах с уровня 3 на 2 участвует малое количество спинов и коэффициент усиления мал. Приемлемый коэффициент усиления ( 10 - 30 дБ) удается получить только при охлаждении парамагнитного кристалла до температуры, близкой к температуре абсолютного нуля. Для этого объемный резонатор с кристаллом помещается в сосуд с жидким гелием, который обеспечивает температуру кристалла порядка 2 - 4 К. Кроме того, при высокой температуре по-стбянная времени релаксационных процессов 7, возвращающих систему к тепловому равновесию, мала, и для насыщения уровней требуется значительная мощность колебаний накачки. Охлаждение объемного резонатора до температуры, близкой к абсолютному нулю, также уменьшает шумы объемного резонатора. [21]