Колебание - потенциал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Колебание - потенциал

Cтраница 2


Здесь слева показаны колебания потенциала бромид-ионов, в середине - соответствующие спектральные плотности, а справа - двумерные аттракторы в координатах B ( tk) и B ( tk т), построенные по алгоритму Паккарда - Такенса. Отметим, что вид двумерного аттрактора существенно зависит от времени задержки т, Его деформация при изменении т для случаев, показанных на рис. 9.91, а и б, представлена на рис. 9.92 и 9.93 соответственно. На основе трехмерного аттрактора в координатах В ( tt), B ( tt т), 5 ( ft 2T), проекция которого изображена на рис. 9.94, а, в [652] построено точечное отображение на секущей плоскости, перпендикулярной рис. 9.94, а и проходящей через штриховую линию - ( рнс.  [16]

17 Зависимость величины полной бикогерентности 6 ( ж от координаты ( о и проекция поверхности суммированного биспектра.. Е ( Ж / L, / ( б. [17]

Анализ спектрального состава колебаний потенциала при переходе от одного сечения диода к другому в данном режиме практически не изменяется.  [18]

В последнем случае колебания потенциала имеют более сложную конфигурацию.  [19]

20 Установка для определения склонности стали к точечной коррозии ( вертикальное расположение образца.| Схема установки для снятия кривых заряжения при автоматической записи электродного потенциала стали. [20]

Частота и границы колебаний потенциала характеризуют устойчивость стали против точечной коррозии.  [21]

Нетрудно убедиться, что колебания потенциала на горизонтально отклоняющих пластинах вызовут горизонтальные колебания электронного пучка.  [22]

При больших площадях наблюдаются колебания потенциала, указывающие на наличие разрывов в пленках. Майлз ( Miles) поделился с агтором своим предположением, что щепи метилированной целлюлозы совершают колебания и расталкивают друг друга, так как когезия между ними недостаточна, чтобы удерживать их в покое в состоянии параллельной упаковки. Галлер яредположил, что осмотическое давление или давление набухания некоторых коллоидных растворов может быть отчасти обусловлено колебаниями весьма длинных молекул. Этими же колебаниями мсжно бъяснить существование измеримого поверхностного давления при площадях, намкого превышающих площадь плотной упаковки гексозных групп, лежащих плашмя. Производные, обнаруживающие этс явление, однако, по всей вероятности, несколько деполимеризованы и, весьма возможно, что с ни содержат некоторое количество молекул) с цепями, достаточно короткими, чт ( бы сбразорать газообразную-пленку.  [23]

При снятии поляризационных кривых наблюдаются колебания потенциала во времени, приводящие иногда к самопроизвольному изменению приложенного тока. Такие колебания потенциала и тока особенно заметны в области предельных токов. Поэтому наряду с обычным методом получения t - е-кривых используют так называемые потенциостатический и гальваностатический методы. При потенциостатическом методе на электрод подается определенное значение потенциала, которое при помощи специальной электрической схемы можно поддерживать неизменным в течение длительного времени. Затем непрерывно, вплоть до установления ее постоянства, регистрируется сила тока, отвечающая данному потенциалу. Серия таких измерений дает потенциостатическую i - е-кривую. При гальваностатическом методе, напротив, поддерживается постоянным ток и наблюдается происходящее при этом изменение потенциала во времени до тех пор, пока он не достигнет постоянного значения. Получаемая зависимость t от s является гальваностатической поляризационной кривой. Сочетание этих методов позволяет более глубоко изучить поведение электрохимических систем.  [24]

При снятии поляризационных кривых наблюдаются колебания потенциала во времени, приводящие иногда к самопроизвольному изменению приложенного тока. Такие колебания потенциала и тока особенно заметны в области предельных токов. Поэтому наряду с обычным методом получения i - е кривых все чаще используют так называемые потенциостатический и гальваностатический методы. При потенциостатическом методе на электрод подают определенное значение потенциала, которое при помощи специальной электрической схемы можно поддерживать неизменным в течение длительного времени. Затем непрерывно вплоть до установления ее постоянства регистрируют силу тока, отвечающую данному потенциалу. Серия таких измерений дает потенциостатическую i - е кривую. При гальваностатическом методе, напротив, поддерживают постоянным ток и наблюдают за изменением потенциала во времени до тех пор, пока он не достигнет постоянного значения. Полученная зависимость i от е называется гальваностатической кривой. Сочетание этих методов позволяет более глубоко изучить поведение электрохимических систем.  [25]

При снятии поляризационных кривых наблюдаются колебания потенциала во времени, приводящие иногда к самопроизвольному изменению приложенного тока. Такие колебания потенциала и тока особенно заметны в области предельных токов. Поэтому наряду е обычным методом получения i-е-кривых все чаще используют так называемые потенциостатический и гальваностатический методы. При потенциостатическом методе на электрод подают определенное значение потенциала, которое при помощи специальной электрической схемы можно поддерживать неизменным в течение длительного времени. Затем непрерывно, вплоть до установления ее постоянства, регистрируют силу тока, отвечающую данному потенциалу. Серия таких измерений дает потенциостатическую i-е-кривую. При гальваностатическом методе, наоборот, поддерживают постоянным ток и наблюдают за изменением потенциала во времени до тех пор, пока он не достигнет постоянного значения. Полученная зависимость е от i называется гальваностатической кривой. Сочетание этих методов позволяет более глубоко изучить поведение электрохимических систем.  [26]

При прохождении фронта волны наблюдаются колебания потенциала образца, а также локальное повышение температуры.  [27]

28 Электрическая схема, эквивалентная двойному слою. [28]

При данной силе переменного тока колебания потенциала малого по площади электрода велики по сравнению с колебаниями потенциала вспомогательного электрода.  [29]

30 Электрическая схема, эквивалентная двойному слою.| Схема для измерения емкости двойного слоя компенсационным методом. [30]



Страницы:      1    2    3    4    5