Добавка - галлий
Cтраница 1
Добавка галлия в стеклянную массу позволяет получить стекла с высоким коэффициентом преломления - световых лучей, а стекла па основе Ga203 хорошо пропускают инфракрасные лучи. [1]
Добавка галлия в стеклянную массу позволяет получить стекла с высоким коэффициентом преломления световых лучей, а стекла на основе Ga203 хорошо пропускают инфракрасные лучи. [2]
Легирующим материалом для создания сплавных германиевых транзисторов р-л-р-типа служит индий с добавкой галлия. [3]
Германиевые транзисторы, обычно р-п-р-ппа, изготавливают по сплавной или диффузионно-сплавной технологии. При изготовлении сплавного транзистора используется вплавление навесок ( дозирующих шариков) легирующих акцепторных примесей ( индий с добавкой галлия) в равномерно легированную пластину я-типа, служащую базовой областью. Сплавной транзистор является бездрейфовым. Поскольку процесс вплавления не удается точно контролировать, сплавные транзисторы отличаются большой ( несколько микрометров) толщиной базы, которая имеет значительный технологический разброс. [4]
На воздухе галлий устойчив, воду не разлагает, но растворяется в кислотах и щелочах. Гидрат окиси галлия Ga ( OH) s амфотерен. Добавка галлия к магниевым сплавам увеличивает их прочность и ковкость. [5]
 |
Структура электронно-дырочного перехода приборов П401 - П403. [6] |
Диффузия примесей при получении транзисторных структур осуществляется несколькими различными способами. На одной пластинке германия одновременно изготовляют около 200 структур, а затем разрезают ее на отдельные приборы. В качестве материала применяют германий р-типа с удельным сопротивлением 0 65 ом - см. Слой л-типа получают путем диффузии сурьмы, а эмиттерный слой р-типа путем вплавления и рекристаллизации индия с добавкой галлия и сурьмы. При вплавлении такого сплава одновременно идет диффузия сурьмы в слой полупроводника - типа. [7]
 |
Диаграмма состояния германий - свинец. [8] |
С этой точки зрения более перспективным является использование в качестве основы электродного материала для сплавления с германием не индия, а свинца. Диаграмма состояния германий - свинец ( см. рис. 5 - 1) при малых концентрациях германия идет очень круто и при тех температурах, когда германий уже хорошо смачивается, растворимость его в свинце достаточно мала. Использование свинца с добавкой галлия и некоторых других элементов, улучшающих механические свойства сплава, позволило создать мощные германиевые р-п - р транзисторы с большой площадью переходов и сильно легированным эмиттером, что обеспечило в них высокий коэффициент инжекции. [9]
Галлий - рассеянный элемент, в самородном состоянии не встречается и собственных руд не образует. Обычно примеси галлия встречаются в алюминиевых, железных и чаще всего цинковых рудах. Для выделения галлия используется сложная комплексная совокупность пирометаллурги-ческих, гидрометаллургических и электролитических методов. Галлий начинает сейчас все шире применяться в полупроводниковой промышленности, где используется его способность давать интерметаллические соединения с германием, кремнием, сурьмой, мышьяком и другими элементами. Добавка галлия в стеклянную массу позволяет получать стекла с высоким коэффициентом преломления световых лучей, а стекла на основе GasO3 хорошо пропускают инфракрасные лучи. Используют способность галлия к переохлаждению ( до - 40 С) и его высокую температуру кипения ( 2247 С) для изготовления термометров. [10]
За последние годы было установлено, что, кроме алюминия, существуют и другие металлы, стабилизирующие u - модификацшо титана, которые могут представлять интерес в качестве легирующих добавок к промышленным титановым сплавам. К таким металлам относятся галлий, индий, сурьма, висмут. Особый интерес представляет галлий для жаропрочных титановых сплавов благодаря высокой растворимости в а-титапе. Как известно, повышение жаропрочности сплавов системы Ti - А1 ограничено пределом 7 - 8 % вследствие образования хрупкой фазы. Добавкой галлия можно дополнительно повысить жаропрочность предельнолегированных алюминием сплавов без образования а2 - фазы. [11]
Вызванное таким способом усиление р-характера проводимости окисла сопровождалось повышением активности в соответствии с рядом активностей, рассмотренным в разделе IV, В. О той же тенденции к повышению активности для этой реакции при переходе в направлении п - - р ( снижение уровня Ферми) свидетельствуют данные Шваба и Блока [92] о влиянии малых добавок лития и галлия к окиси цинка. Окись цинка с добавками применялась также Молинари и Парравано [102] при изучении реакции обмена Н2 - D2 и Чимино с сотрудниками [103] при изучении хемосорбции водорода и дейтерия. Наиболее активный катализатор для обмена - хорошо проводящий окисел с добавкой галлия - давал наименьшие величины равновесных заполнений при хемосорбции. Это подтверждает ту роль слабой хемосорбции для обмена Н2 - D2, которую ей обычно приписывают в катализе на металлах. [12]
Вызванное таким способом усиление р-характера проводимости окисла сопровождалось повышением активности в соответствии с рядом активностей, рассмотренным в разделе IV, В. О той же тенденции к повышению активности для этой реакции при переходе в направлении п - р ( снижение уровня Ферми) свидетельствуют данные Шваба и Блока [92] о влиянии малых добавок лития и галлия к окиси цинка. Окись цинка с добавками применялась также Молинари и Парравано [102] при изучении реакции обмена На - D2 и Чимино с сотрудниками [103] при изучении хемосорбции водорода и дейтерия. Наиболее активный катализатор для обмена - хорошо проводящий окисел с добавкой галлия - давал наименьшие величины равновесных заполнений при хемосорбции. Это подтверждает ту роль слабой хемосорбции для обмена Н2 - D2, которую ей обычно приписывают в катализе на металлах. [13]
На основе эффекта Фарадея может быть создан магнитооптический модулятор света. Схема такого модулятора показана на рис. 71, г. Величина поворота плоскости поляризации света определяется мгновенной проекцией намагниченности на направление распространения света. Эта проекция изменяется под действием переменного продольного магнитного поля, что приводит к модуляции света на выходе системы. Величина постоянного поперечного поля составляет Н0 2тгМ0, что соответствует намагниченному до насыщения состоянию кристалла. С поперечным подмагничивающим полем наивысшие частоты модуляции могут составлять около 109 гц. Имеются сообщения о модуляторе, работающем на феррите-гранате иттрия с добавкой галлия. [14]
Страницы: 1