Количество - атом - примесь
Cтраница 1
Количество атомов примеси обычно на несколько порядков меньше количества атомов основного элемента, так что на многие десятки тысяч атомов германия или кремния приходится только один атом примеси. [2]
Для определения количества атомов примесей металлов на кристалл и на число его ненасыщенных углеродных я-связей были рассчитаны некоторые дополнительные данные, связанные с размером кристаллитов исследованных материалов. [3]
При увеличении ( М) происходит увеличение количества атомов примесей, вносимых в источник возбуждения. Это ведет к увеличению чувствительности. В случае второго пути количество атомов примеси не может быть увеличено. [4]
Во время проведения процесса практически всегда выполняется условие, при котором количество атомов примеси в газовой фазе намного превышает количество атомов, диффундирующих в полупроводниковую пластину. [6]
Если во внешней фазе присутствуют атомы ( или молекулы) примеси, то для установления равенства химических потенциалов компонентов в обеих фазах некоторое количество атомов примеси должно проникнуть в кристалл. [7]
Такое количество атомов примеси уже может оказать заметное влияние на дополнительное рассеяние электронов у дислокаций. [8]
 |
Триод с источниками питания и нагрузкой. [9] |
Транзистор, представляющий собой кристалл германия, или кремния, состоит из трех областей с проводимостями различных типов. Введением некоторого количества атомов примеси, образующей неполные валентные связи с атомами основного полупроводникового вещества, обусловливается образование свободных электронов. Это происходит, когда число валентных электронов примеси превышает число валентных электронов основного вещества. [10]
Согласно граничному условию (1.32) количество атомов Q сохраняется постоянным в течение всего диффузионного процесса. Следовательно, в процессе диффузии количество атомов примеси в слое уменьшается, а внутри тела увеличивается. [11]
Согласно граничному условию (2.1) количество атомов Q сохраняется постоянным в течение всего диффузионного процесса. Следовательно, в процессе диффузии количество атомов примеси внутри первоначального слоя уменьшается, а внутри тела увеличивается. [12]
Когда кристалл германия с некоторым количеством внедренной донорной примеси находится при комнатной температуре, то электроны проводимости поставляются как донорными узлами, так и путем рождения электронно-дырочных пар за счет тепловой энергии. Если температура не слишком низкая, то число отрицательных носителей, поставляемых атомами донорной примеси, примерно равно количеству имеющихся атомов примеси. При равновесии уравнение (12.4) еще обязано соблюдаться; произведение NnNp при данной температуре есть вполне определенное число. [13]
При увеличении ( М) происходит увеличение количества атомов примесей, вносимых в источник возбуждения. Это ведет к увеличению чувствительности. В случае второго пути количество атомов примеси не может быть увеличено. [14]
 |
Энергетические зоны. [15] |
Страницы: 1 2