Малая добавка - кислород
Cтраница 2
Акцепторные добавки ( О %, СОа при высоких температурах) снижают интенсивность радикалолю минесценции, хотя малые добавки кислорода несколько повышают интенсивность свечения. Это связано, очевидно, с изменением вклада каждого из названных выше эффектов. [16]
Изучая влияние добавок кислорода на реакцию термического разложения бутана, Майзус, Маркевич и Нейман [142] нашли, что малые добавки кислорода ( порядка 0 15 %) значительно увеличивают начальную скорость реакции. На основании этих данных они высказали предположение о том, что быстрое падение скорости реакции крекинга углеводорода по ходу превращения связано с расходованием небольших количеств кислорода, сохраняющихся в углеводороде после очистки его обычными методами. [17]
Аналогичное каталитическое действие кислорода наблюдается также и в процессах окисления углеводородов. Поэтому естественно, что даже малые добавки кислорода могут резко ускорить процесс крекинга. [18]
 |
Гипотетическая схема основных уровней, влияющих на транспортные свойства металлфта-щеиии. У различных центральных ионов металлфталоциаиина 5 4 - РСМ 14, . [19] |
Поскольку пик поглощения Sa - t - 1 i не наблюдается на РсН2, это означает, что на других металлфталоцианинах он появляется благодаря спин-ор-битальному взаимодействию, вызванному центральным ионом металла. Такое взаимодействие влияет на интенсивность полос поглощения в ближней ИК-области. Триплетные возбужденные состояния характеризуются большими временами распада, поэтому они могут, вообще говоря, перемещаться на большие расстояния, чем синглетные возбужденные состояния. Таким образом, вероятность встречи триплетного возбужденного состояния с молекулой кислорода возрастает, и уже малых добавок кислорода достаточно для появления эффективных комплексов с переносом заряда. В целом ряде работ ( см. работы, цитируемые в [43]) с помощью импульсных кинетических экспериментов изучалось гашение возбужденных состояний хлорофилла и порфириновых производных хипонов или нитроарома-тических соединений. [20]
Если цепи зарождаются на поверхности и обрываются в газовой фазе, то увеличение поверхности сосуда должно привести к возрастанию скорости реакции, и, напротив, если они начинаются в газовой фазе и обрываются на стенках, скорость реакции должна уменьшиться. С другой стороны, если и образование и рекомбинация атомов происходят в газовой фазе или на стенках, изменение величины поверхности не окажет влияния на скорость реакции. Рассмотрим, что наблюдается в случае реакции в отсутствие кислорода; площадь поверхности слабо влияет на скорость, а это указывает на то, что цепи могут зарождаться и гибнуть в газовой фазе или на поверхности. Напротив, в избытке кислорода большая часть цепей должна будет обрываться в газовой фазе. Пиз провел исследования влияния поверхности в присутствии кислорода и действительно нашел, что упаковка сосуда резко увеличивает скорость реакции. На основании этого он сделал вывод, что цепи зарождаются на поверхности. При малых добавках кислорода и в его отсутствие обрыв цепей идет также преимущественно на поверхности. [21]
Страницы: 1 2