Добротность - материал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
В жизни всегда есть место подвигу. Надо только быть подальше от этого места. Законы Мерфи (еще...)

Добротность - материал

Cтраница 2


16 Зависимость гальваномагнитной эффективности сплава Bi9. Sb3 от температуры при напряженности магнитного поля 1 Т. [16]

Для получения максимального эффекта Эттингсгаузена необходимо иметь материал, представляющий собой систему с двумя типами носителей и с равными концентрациями дырок и электронов. Иными словами, материал должен быть беспримесным или чтобы валентная зона и зона проводимости в нем слегка перекрывались. Подвижности носителей обоих типов при этом должны быть одинаковыми. Чем выше подвижность, тем больше будет добротность материала и тем слабее будет необходимое для работы холодильника магнитное поле. Материал также должен обладать низкой теплопроводностью кристаллической решетки.  [17]

18 Зависимость гальваномагнитной эффективности сплава Bi97Sb3 от температуры при напряженности магнитного поля 1 Т. [18]

Для получения максимального эффекта Эттингсгаузена необходимо иметь материал, представляющий собой систему с двумя типами носителей и с равными концентрациями дырок и электронов. Иными словами, материал должен быть беспримесным или Чтобы валентная зона и зона проводимости в нем слегка перекрывались. Подвижности носителей обоих типов при этом должны быть одинаковыми. Чем выше подвижность, тем больше будет добротность материала и тем слабее будет необходимое для работы холодильника магнитное поле. Материал также должен обладать низкой теплопроводностью кристаллической решетки.  [19]

20 Токовый ключ на Т-1-продвигающих элементах ЦМД.| Структурная схема генератора продвижения ЦМД мостового типа на транзисторах в ключевом режиме.| Генератор продвижения ЦМД. а - схема. б - временные диаграммы напряжений элементах. [20]

Магнитооптические устройства основываются на использовании магнитооптического эффекта Фарадея или Керра. Первый заключается в том, что при прохождении линейно-поляризованного света через среду, в которой действует магнитное поле, плоскость поляризации поворачивается на некоторый угол 0 W / / n, где V - коэффициент пропорциональности, характеризующий среду и зависящий от длины волны X; / - длина пути светового луча в веществе; Ни - напряженность поля, направленного параллельно лучу света. Для ферромагнетиков 6 зависит от намагниченности, и эффект Фарадея проявляется в значительно большей степени, чем для неферромагнитных веществ. Применительно к ферромагнитным материалам толщиной I, намагниченным до насыщения в направлении луча линейнополяризо-ванного света, получим QFl, где F - магнитооптический коэффициент Фарадея, измеряемый в / см. Максимально допустимая толщина ферромагнетика определяется допустимым поглощением света Яа. Отношение 0 / Я - F / a, Q называют магнитооптической добротностью материала. Чем выше значение Q, тем лучше данный материал подходит для создания различных магнитооптических устройств.  [21]

22 Свойства ВаТ103 при температуре 20 С. [22]

Характеристики материалов, занимающих промежуточное положение между диэлектриками и металлами, можно удобно измерить методами сверхвысоких частот. Однако по мере увеличения проводимости электроны проводимости увеличивают резонансную частоту. Противоположные влияния связанных электронов и электронов проводимости, очевидно, компенсируют друг друга, и частотный сдвиг, отнесенный к пустому резонатору, становится равным нулю. Дальнейшее увеличение проводимости вызывает более рез кое увеличение частоты, которая асимптотически приближается к частоте коаксиального резонатора. В течение этого процесса изменение добротности материала отражает два противоположных влияния, причем на этот раз оба приписываются электронам проводимости. Введение этих электронов в высокочастотное поле вызывает омические потери, а также экранирует внутреннюю область столбика. Сначала преобладает диссипативное действие электронов, и добротность Q падает до минимального значения; затем преобладающим становится экранирующее действие, и Q увеличивается до большого значения.  [23]



Страницы:      1    2