Добротность - объемный резонатор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Единственный способ удержать бегущую лошадь - сделать на нее ставку. Законы Мерфи (еще...)

Добротность - объемный резонатор

Cтраница 1


1 Структура ТЕМ-колебаний в коаксиальном цилиндрическом объемном резонаторе. [1]

Добротность объемного резонатора с учетом перечисленных потерь определяется по формуле l / Ql / Qi l / Q2 l / QcB l / Q2 и называется нагруженной добротностью. Величины Qi, Qt, QcB, QE являются частичными добротностями.  [2]

Определим порядок добротности объемных резонаторов в сантиметровом диапазоне.  [3]

4 Градуировочная кривая, используемая в конденсаторном методе измерения удельного сопротивления.| Взаимное расположение датчика и образца в беззондовом методе Фистуля - Оржевского. [4]

В области СВЧ добротность объемных резонаторов велика ( 103 - н10 4), поэтому внесение в резонатор полупроводникового образца резко снижает добротность. Образец может либо помещаться внутри резонатора, либо закрывать собой отверстие в стенке резонатора.  [5]

Для приближенного расчета добротности объемного резонатора необходимо определить функции распределения поля в идеальном резонаторе. Следовательно, определение параметров реальных объемных резонаторов в конечном счете сводится к анализу собственных колебаний идеальных резонаторов.  [6]

На практике изменения добротности объемного резонатора Q наблюдаются по эффектам, возникающим при прохождении или, что более обычно, при отражении мощности. Оптимальная связь между резонатором и передающей линией зависит [166, 345] от характеристик детектора.  [7]

Формула (14.19) позволяет рассчитать добротность объемного резонатора любой формы, если известно распределение магнитного поля в соответствующем идеальном резонаторе.  [8]

Из формулы (14.19) следует, что добротность объемного резонатора представляет собой отношение количества энергии, запасенной в диэлектрическом объеме резонатора, к среднему количеству энергии заключенной в его проводящей оболочке.  [9]

Это последнее отношение можно принять и в качестве добротности объемного резонатора: добротность пропорциональна отношению энергии, запасенной в электромагнитном поле резонатора в какой-либо период его собственных колебаний, к энергии, израсходованной на нагрев стенок за тот же период. Запасенная энергия при данной напряженности поля пропорциональна объему резонатора, а энергия, расходуемая на нагревание, пропорциональна площади внутренней поверхности стенок; поэтому выгодна цилиндрическая, а не прямоугольная форма резонатора: для цилиндра отношение объема к поверхности больше, чем для параллелепипеда.  [10]

Коэффициент усиления и полоса пропускания молекулярного усилителя являются функцией добротности объемного резонатора с учетом связи его с входным и выходным волноводами, а также способности активного вещества излучать и рассеивать энергию электромагнитных колебаний под действием поля в резонаторе. Эта величина при обычной длине резонатора / 10 см и средней скорости движения молекул ожЮ5 см / сек составляет примерно 0 1 мсек, что соответствует полосе пропускания Av 1 / т - 10 кгц.  [11]

Так как добротность контуров с сосредоточенными параметрами значительно ниже добротности коаксиальных контуров и много меньше добротности объемных резонаторов, то наиболее сильно дает себя знать рассматриваемый источник погрешностей в случае резонансных волномеров с сосредоточенными параметрами.  [12]

Так как добротность контуров с сосредоточенными параметрами значительно ниже добротности коаксиальных контуров и много мэньше добротности объемных резонаторов, то наиболее сильно дает себя знать рассматриваемый источник погрешностей в случае резонансных волномеров с сосредоточенными параметрами.  [13]

14 Эволюция одновиткового колебательного контура в объемный резонатор. [14]

Омические потери малы по сравнению с потерями из-за скин-эффекта, и есть способы их снижения. Поэтому добротность объемных резонаторов, как правило, велика. Во всяком случае значительно выше, чем в открытом квазистационарном LC-контуре. Интересно, что собственные колебания в объемном резонаторе описываются уравнением типа ( 15), где вместо q фигурирует напряженность либо электрического, либо магнитного поля. Заметим, что это сейчас так просто перейти от колебательного электрического контура к объемному резонатору. А в действительности для создания румбатрона6 ( так назвали объемный резонатор, предложенный американским физиком Хансеном) потребовалось 20 лет.  [15]



Страницы:      1    2