Компенсация - положительный заряд
Cтраница 2
Второй, часто встречающийся в теории полупроводниковых приборов случай приводит к преобразованию уравнений непрерывности в уравнения диффузии. Предположим, что в некотором объеме Д7 - полупроводника в результате внешнего воздействия образовалась неравновесная концентрация дырок р, превышающая равновесную концентрацию р0 на величину Ар. Предположим далее, что Ар; щ - равновесной концентрации электронов, так что пришедшие к объему AF для компенсации положительного заряда электроны лишь несущественно повлияли на перераспределение зарядов в полупроводнике, и поле § пренебрежимо мало. В результате возникшего градиента концентраций дырки и электроны будут диффундировать из объема AF, постепенно рекомби-нируя. [16]
 |
Изотермы для системы AgBr Си. случай, когда медь размещается в узлах решетки и может проявляться в двух валентных состояниях. В левом нижнем углу - схема энергетических уровней. [17] |
Тем не менее при высоких температурах и больших pci2 некоторая часть меди находится в окисленном состоянии. Отметим, однако, что присутствие окисленной меди в охлажденных образцах можно объяснить только тем, что уровень меди лежит выше уровня VA §; в противном случае вакансия Уде, необходимая для компенсации положительного заряда Cuig, передавала бы свой электрон меди, восстанавливая ее тем самым до одновалентного состояния ( см. разд. [18]
Страницы: 1 2